APTM120UM70DAG [Microchip]

Обзор APTM120UM70DAG

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальное значение лавинной энергии составляет 3200 мДж. CI относится к емкости между двумя входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 43500 пФ @ 25 В. В этом устройстве ток стока (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор. Из-за времени задержки выключения, которое составляет 245 нс, устройству требуется время для зарядки своей входной емкости перед началом проводимости тока стока. Зарядка входной емкости задерживает проводимость тока стока до тех пор, пока время, необходимое для зарядки входной емкости, не достигнет 20 нс. Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, падающие на клемме затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 30 В. Транзистор должен получать напряжение сток-исток (Vdss) 1200 В для функционирования. Помимо снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности APTM120UM70DAG

номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 3200 мДж
непрерывный ток стока (ID) 171 А
время задержки выключения составляет 245 нс
напряжение сток-исток (Vdss) 1200 В

Применения APTM120UM70DAG

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от компании Microsemi Corporation APTM120UM70DAG.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии PWM с жестким переключением и резонансное переключение
• Стадии PWM, например, для PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.