Популярные электронные компоненты – В наличии и готовы к отправке

Allwinner V3LP — это энергоэффективный процессор для камер на базе CPU ARM Cortex-A7 с интегрированной оперативной памятью DDR2 объёмом 64 МБ и возможностью обработки видео в формате H.264 с разрешением Full HD. Он подходит для использования в видеорегистраторах, умных камерах, встраиваемых цифровых видеорегистраторах (DVR), двухканальных системах камер с разрешением Full HD, а также компактных устройствах визуализации на базе Linux.

RF-приемник GNSS/GPS, 1,575 ГГц, 24-выводный LCC; модули GNSS/GPS u-blox M8, автомобильная система определения местоположения при потере сигнала, встроенные датчики, корпус LCC, 12×16 мм, 250 шт./катушка

W9825G6KH-6 — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит от компании Winbond, организованная как 4 М × 4 банка × 16 бит и поставляемая в корпусе 54-TSOP II. Благодаря параллельному интерфейсу SDRAM с частотой 166 МГц, напряжению питания от 3,0 В до 3,6 В и времени доступа 5 нс, данная микросхема подходит для применения в встраиваемых системах, потребительской электронике, промышленных платах управления, сетевом оборудовании, системах на основе ПЛИС/ЦСП, а также в качестве замены устаревших микросхем SDRAM.

16 Гбит DDR4 3200 2Gx8 (0~95C).SDRAM - Интегральная схема памяти DDR4 16 Гбит 1.6 ГГц 78-FBGA (7.5x11)

ИС Flash 128 Мбит SPI 133 МГц 8SO.FLASH - NOR память ИС 128 Мбит SPI - Quad I/O 133 МГц 8-SO

4RCD0229KB1ATG8 — это регистрирующий тактовый драйвер DDR4 от Renesas / IDT, предназначенный для модулей памяти DDR4 RDIMM и LRDIMM. Он обеспечивает 32-битный 1:2 регистрируемый буфер команд/адресов с контролем чётности, работает от источника питания 1,2 В и поставляется в корпусе FCCSPBGA с 253 шариками. Основная область применения — серверные модули памяти, платформы центров обработки данных, корпоративные системы хранения данных и оборудование для вычислений высокой надёжности.

K4A8G085WC-BCTD — это 8 Гбит ИС оперативной памяти DDR4 SDRAM от компании Samsung, организованная как 1 Г × 8 и поставляемая в корпусе FBGA на 78 шариков. Благодаря производительности класса DDR4-2666 и работе при напряжении 1,2 В она подходит для модулей оперативной памяти ПК, ноутбуков, промышленных компьютеров, сетевого оборудования, серверов, встраиваемых систем и других высокоскоростных применений оперативной памяти.

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D — это 32 Гб LPDDR4 SDRAM от компании Micron Technology, организованная как 1 Г × 32 и поставляемая в корпусе VFBGA с 200 шариками. Благодаря высокоскоростной работе на частоте 2,133 ГГц, низковольтным цепям питания 1,1 В / 0,6 В и рабочему диапазону температур от −40 °C до +105 °C данная микросхема подходит для автомобильной электроники, промышленных встраиваемых систем, устройств искусственного интеллекта и Интернета вещей (AIoT), телекоммуникационного оборудования, а также высокопроизводительных платформ на основе SoC.

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G — это интегральная схема флэш-памяти NAND типа SLC объёмом 2 Гбит от компании Micron Technology, организованная как 256 М × 8 и поставляемая в корпусе TSOP-I с 48 выводами. Благодаря параллельному интерфейсу NAND, напряжению питания от 2,7 В до 3,6 В и рабочему диапазону температур от −40 °C до +85 °C данная микросхема подходит для применения в встраиваемых системах, промышленных контроллерах, сетевом оборудовании, потребительской электронике, автомобильной электронике и других областях, где требуется надёжная энергонезависимая память.

DDR DRAM, 128MX16, 0.225нс, CMOS, PBGA96, VFBGA-96

K4ZAF325BC-SC20 — это высокопроизводительный графический чип памяти GDDR6 (VRAM), произведённый компанией Samsung. Этот конкретный компонент привлёк значительное внимание в сообществе энтузиастов оборудования, поскольку он используется в консоли Sony PlayStation 5 Pro (PS5 Pro) и некоторых высокопроизводительных видеокартах (например, Gigabyte GeForce RTX 4060 Ti AERO OC объёмом 16 ГБ).

18-битный АЦП с одной каналом и скоростью выборки 240 выборок в секунду. Аналогово-цифровые преобразователи — АЦП, дельта-сигма-АЦП на 18 бит, одноканальный, 4 выборки в секунду

ИС Трансивер Полу 1/1 8SOIC.1/1 Трансивер Полу RS422, RS485 8-SOIC

W25Q64JVSSIG от компании Winbond Electronics Corp — это флеш-память. Флеш-память относится к более широкой категории компонентов памяти.

Интегральная схема флэш-памяти, 64 Мбит, интерфейс SPI/Quad, корпус 8-SOIC. Флэш-память NOR, интегральная схема, 64 Мбит, интерфейс SPI — четырёхканальный ввод/вывод, 133 МГц, корпус 8-SOIC. Флэш-память NOR spiFlash, 64 Мбит, сектора равномерного размера 4 Кбит. Флэш-память NOR, интегральная схема, 64 Мбит, интерфейс SPI — четырёхканальный ввод/вывод, 133 МГц, корпус 8-SOIC.

ИС-трансивер, полудуплексный, 1/1, 8-SOIC. Трансивер полудуплексный RS422, RS485, 8-SOIC. Маломощные полудуплексные трансиверы RS-485 с питанием 3,3 В и скоростью передачи данных 10 Мбит/с

Шоттки барьерный диод

Сверхнизкокапацитивный двухсторонний диод защиты от электростатического разряда с полным охватом диапазона напряжений

DRAM DDR4, 16 ГБ, 1 Гбит × 16, корпус FBGA, IT-класс ИС DRAM, 16 Гбит, параллельный интерфейс, корпус 96FBGA

Твердотельные накопители — SSD 7450, 4 ТБ, форм-фактор E1.S, 32 × 111 × 5,9 мм

Samsung KLM8G1GETF-B041: MLC NAND Flash Serial e-MMC 3V/3.3V 64G-bit 64G/16G/8G x 1/4-bit/8-bit 153-Pin FBGA. С превосходной энергоэффективностью и заметно высокой скоростью, eMMC Samsung является окончательным выбором для флэш-памяти при разработке тонких мобильных дизайнов.

Преобразователь уровней напряжения для HDMI/DVI с низким энергопотреблением Специализированная ИС интерфейса в корпусе 32HVQFN

NPN, диапазон рабочих температур от -65 °C до 150 °C (TJ), ток утечки 100 нА, 1 элемент, 3 вывода, кремниевый NPN-транзистор в корпусе TO-243AA, в ленте с отрезанными участками (CT), для поверхностного монтажа

ИС ОУ общего назначения 1 цепь SOT23-5.Стандартный усилитель 1 цепь SOT-23-5

Микроконтроллеры QFN-32 (5×5), соответствующие директиве RoHS

CMC 150 мА, 2 линии, 90 Ом, SMD. Дроссель общего режима на 2 линии, поверхностный монтаж, сопротивление 90 Ом при 100 МГц, ток 150 мА, постоянное сопротивление (DCR) 1,75 Ом

Входное напряжение 4,5–17 В, выходной ток 3 А, синхронный понижающий преобразователь в режиме Eco | DDC | 6 | −40…+125 °C. Импульсные стабилизаторы напряжения: входное напряжение 4,5–17 В, выходной ток 3 А, синхронный, артикул 595-TPS563201DDCT

Высокоточный монитор и защита аккумуляторов на 3–16 элементов для литий-ионных, литий-полимерных и литий-железо-фосфатных аккумуляторов | PFB | 48 | от −40 до 85

Высокоточный 6-осевой MEMS-датчик движения® 6-осевой высокопроизводительный ИМУ, поддерживающий высоко точный внешний тактовый сигнал, что способствует снижению погрешности чувствительности на уровне системы, повышению точности измерения ориентации на основе данных гироскопа, а также уменьшению зависимости частоты дискретизации от температуры и вариаций между отдельными устройствами. ICM-42688-P — это 6-осевой MEMS-датчик движения, объединяющий 3-осевой гироскоп и 3-осевой акселерометр. Устройство оснащено программируемым интерфейсом хоста, поддерживающим последовательную связь по протоколам I3C℠, I²C и SPI. В нем реализован буфер FIFO объемом 2 КБ и два программируемых прерывания с поддержкой функции «пробуждение при движении» в сверхнизкопотребляющем режиме для минимизации энергопотребления системы. ICM-42688-P поддерживает высоко точный внешний тактовый сигнал, что способствует снижению погрешности чувствительности на уровне системы, повышению точности измерения ориентации на основе данных гироскопа, а также уменьшению зависимости частоты дискретизации от температуры и вариаций между отдельными устройствами. Устройство первым в отрасли поддерживает 20-битный формат данных в буфере FIFO для обеспечения высокого разрешения данных. Этот формат FIFO включает 19-битные данные гироскопа и 18-битные данные акселерометра. Другие передовые отраслевые функции включают встроенный в чип InvenSense процессор движения APEX для распознавания жестов, классификации активности, шагомера, программируемых цифровых фильтров и встроенный датчик температуры. Устройство поддерживает рабочее напряжение питания VDD в диапазоне от 1,71 В до 3,6 В и отдельное питание цифровых входов/выходов VDDIO в том же диапазоне — от 1,71 В до 3,6 В.

Циклон® IV E — программируемая логическая интегральная схема (ПЛИС) 179, 276480, 6272, 256-выводная матричная шариковая сборка (LBGA) ПЛИС — программируемая логическая интегральная схема

0.1°C digital temperature sensor, 48-bit EEPROM, PT100/PT1000 RTD replacement | DRV | 6 | -55 to 150

ИС FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN.FLASH - NOR Память ИС 128Mbit SPI - Quad I/O 133 MHz 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

MOSFET (Метал-Оксид) Канал N Трубка 5.9 мОм при 103A, 10V ±30V 10470 пФ при 50V 227 нКл при 10V TO-247-3

Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, 10uF, Surface Mount, 2312, CHIP

FLASH-микросхема NOR-памяти, 128 Мбит, интерфейс SPI с четырёхканальным вводом-выводом и QPI, 133 МГц, корпус 8-SOIC; NOR-Flash-память spiFlash, 3 В, 128 Мбит, однородные секторы по 4 Кбит

МДП-транзистор P-канальный 200V 11A TO220AB.P-канальный 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB

ATSAME70Q21

ИС РЧ ТХРХ СОТОВЫЙ 144CSPBGA.ИС РЧ ТХРХ ТОЛЬКО СОТОВЫЙ LTE 70МГц ~ 6ГГц 144-LFBGA, CSPBGA

Транзистор PNP 60V 5.7A SOT-223.Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 5.7 А 110 МГц 770 мВт Поверхностный монтаж SOT-223

HSOP8 SMT ROHS NSR10A22-DHSPR Industrial 100V High-voltage High-efficiency Asynchronous Buck Converter #Novosense #Industrial #Highvoltage #Highefficiency #Asynchronous #Buck #Converter #NSR10A22 #Drones #Electrictools #Steppermotors

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC.FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI - Quad I/O, QPI 104 MHz 8-SOIC

2.2nF X1,Y2 ±20% Through Hole,P=7.5mm Ceramic Capacitors ROHS

1.06V~1.95V 16Gbit 1.866GHz LPDDR4X SDRAM FBGA-200 Memory (ICs) RoHS

Programmable Resolution 1-Wire Digital Thermometer High-Precision Temperature Monitoring with Minimal Connections Ideal for Multisensor Systems

ИС МК 32-битный 256КБ FLASH 48LQFP.ARM® Cortex®-M0+ S32K Микроконтроллер ИС 32-битный одноядерный 48МГц 256КБ (256K x 8) FLASH 48-LQFP (7x7)

Смеситель LTC®5510 обладает высокой линейностью и оптимизирован для применения в задачах, требующих очень широкой входной полосы пропускания, низких нелинейных искажений и малого уровня утечки сигнала гетеродина (LO). Кристалл содержит активный сбалансированный смеситель с входным буфером и быстродействующим усилителем сигнала гетеродина. Входная цепь оптимизирована для работы с трансформаторами-балунами с коэффициентом передачи 1:1 на основе линий передачи, что обеспечивает согласование импедансов в чрезвычайно широкой полосе частот. Смеситель может использоваться как для повышающего, так и для понижающего преобразования частоты и подходит для широкополосных систем. Сигнал гетеродина может подаваться как дифференциально, так и однополярно; при этом для достижения отличных показателей по нелинейным искажениям и шумам требуется всего 0 дБм мощности гетеродина, что также снижает требования к внешним цепям его формирования. Смеситель LTC5510 характеризуется низким уровнем утечки сигнала гетеродина, что значительно уменьшает необходимость во внешней фильтрации выходного сигнала для выполнения требований по подавлению сигнала гетеродина. Смеситель LTC5510 оптимизирован для питания напряжением 5 В, однако может также использоваться при питании напряжением 3,3 В с незначительным снижением характеристик. Функция отключения позволяет отключать устройство для дополнительной экономии энергии.

AT24C02C