Обзор APTM20SKM04G

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия составляет 3000 мДж. CI относится к емкости между двумя входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 28900 пФ @ 25 В. В этом устройстве ток стока (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор. В результате времени задержки выключения, которое составляет 88 нс, устройству требуется время для зарядки своей входной емкости перед началом проводимости тока стока. Зарядка входной емкости задерживает проводимость тока стока до тех пор, пока время, необходимое для зарядки входной емкости, не достигнет 32 нс. Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, падающие на клемме затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 30 В. Чтобы напряжение пробоя DS оставалось выше 200 В, оно должно оставаться выше уровня 200 В. Транзистор должен получать напряжение сток-исток 200 В (Vdss) для функционирования. В дополнение к снижению потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности APTM20SKM04G

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 3000 мДж
непрерывный ток стока (ID) 372 А
время задержки выключения составляет 88 нс
напряжение сток-исток 200 В (Vdss)

Применение APTM20SKM04G

Существует множество применений Microsemi Corporation
APTM20SKM04G одиночных транзисторов MOSFET.

• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронное выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникаций 1 Сервер
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Стадии ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP TV,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.