Описание SCT10N120

Этот кремниевый карбидный силовой MOSFET производится с использованием передовых инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной. Это приводит к непревзойденному сопротивлению в открытом состоянии на единицу площади и очень хорошей коммутационной производительности, почти не зависящей от температуры. Выдающиеся термические свойства материала SiC в сочетании с корпусом устройства в проприетарном пакете HiP247? позволяют разработчикам использовать промышленно-стандартный контур с значительно улучшенной термической способностью. Эти особенности делают устройство идеально подходящим для применений с высоким КПД и высокой плотностью мощности.

Особенности SCT10N120

• Очень малое изменение сопротивления в открытом состоянии с температурой

• Очень высокая способность рабочей температуры перехода (TJ = 200 °C)

• Очень быстрый и надежный встроенный диод

• Низкая емкость

Применения SCT10N120

• Солнечные инверторы, ИБП

• Приводы двигателей

• Высоковольтные DC-DC преобразователи

• Импульсные источники питания