STB18NM60ND [STMicroelectronics]

Name: STB18NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB18NM60ND

Номер детали:

STB18NM60ND

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

MOSFET (металл-оксид) N-канальный нарезанная лента (CT) 290m ? @ 6.5A, 10V ±25V 1030pF @ 50V 34nC @ 10V 600V TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Статус RoHS:

Даташит:

Статус наличия:

Доступно для RFQ

Цена:

Запросить оптовую цену

Ответ на запрос:

В течение 24 часов

Доставка:

Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

290mOhm

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Terminal Form

GULL WING

Base Part Number

STB18N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Elements

Power Dissipation-Max

110W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

55 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 50V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

13A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Rise Time

15.5ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

18 ns

Turn-Off Delay Time

13 ns

Continuous Drain Current (ID)

13A

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

52A

DS Breakdown Voltage-Min

600V

Avalanche Energy Rating (Eas)

187 mJ

Height

4.4mm

Length

10mm

Width

8.95mm

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

STB18NM60ND Обзор

Происходит лавинный пробой, при котором энергия подается на MOSFET, вызывая его пробой, и эта энергия называется энергией лавины, а рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 187 мДж. Операционные усилители с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости CI, и у этого устройства максимальная входная емкость составляет 1030 пФ @ 50 В. Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 А в области стока, поэтому непрерывный стоковый ток (ID) для этого устройства составляет 13 А. Это [13 нс], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства, прежде чем может начаться проводимость стокового тока. Что касается пикового стокового тока, его максимальный импульсный ток составляет 52 А. Время включения 55 нс указывает время, необходимое для зарядки входной емкости устройства, прежде чем начнется проводимость стокового тока. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 25 В. Напряжение пробоя DS должно поддерживаться выше 600 В для поддержания нормальной работы. Для работы этого транзистора потребуется напряжение сток-исток (Vdss) 600 В. Такое устройство снижает общее потребление мощности, когда использует напряжение привода (10 В).

STB18NM60ND Характеристики

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 187 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 13 А
время задержки выключения составляет 13 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 52 А.
напряжение сток-исток (Vdss) 600 В

STB18NM60ND Применения

Существует множество применений STMicroelectronics STB18NM60ND в одиночных транзисторах MOSFET.

Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервера I Блок питания телекоммуникаций
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Микро-солнечный инвертор
Преобразователи DC/DC
Электроинструменты
Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
Синхронный выпрямление
Схема защиты аккумулятора
Блоки питания телекоммуникаций 1 Сервер
Промышленные блоки питания

Документы

Datasheets:

STx18NM60ND

FAQ по продукту

1. Доступен ли STB18NM60ND для RFQ?

Да. STB18NM60ND от STMicroelectronics доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

2. Почему для STB18NM60ND нет фиксированной цены?

Цена на STB18NM60ND может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

3. Какие ключевые характеристики у STB18NM60ND?

STB18NM60ND — это Транзисторы STMicroelectronics с такими характеристиками: Packaging: Cut Tape (CT) и Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A Tc и Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On): 10V. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

4. Как быстро я получу предложение по STB18NM60ND?

Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

5. Как скоро можно отправить STB18NM60ND?

Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

6. Можете ли вы предложить альтернативы для STB18NM60ND?

Да. Если STB18NM60ND недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции STMicroelectronics в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

Запрос

Номер детали:

STB18NM60ND

Производитель:

STMicroelectronics

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.