Обзор STB80NE03L-06T4

Существует явление, известное как "лавинный пробой", при котором лавинная энергия прикладывается к MOSFET, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 600 мДж.Входная емкость, CI, определяется как емкость между двумя входными клеммами операционного усилителя с одним входом на земле, и входная емкость этого устройства составляет 6500 пФ @ 25 В.Это устройство имеет непрерывный стоковый ток (ID) [80A], который является его максимальным непрерывным током.При заданном напряжении пробоя сток-исток будет течь указанное значение ID.При VGS=30V напряжение пробоя сток-исток составляет 30V.Максимальный импульсный стоковый ток 320A является максимальным пиковым стоковым током, оцененным для этого устройства.Напряжение затвор-исток, или VGS, это напряжение на переходе затвор-исток транзистора FET, и может быть 20V.Его общее потребление мощности можно уменьшить, используя напряжение привода (4.5V 10V).

STB80NE03L-06T4 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 600 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 80A
напряжение пробоя сток-исток 30V
на основе его оцененного пикового стокового тока 320A.

STB80NE03L-06T4 Applications

Существует много STMicroelectronics
применений STB80NE03L-06T4 одиночных транзисторов MOSFET.

• Источник бесперебойного питания
• Источник питания AC-DC
• Синхронный выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора