Номер детали:
STBV42
Категория:
Транзисторы
Описание:
NPN 150°C TJ 1 мА 1 элемент 3 вывода Кремниевый NPN TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Массовая сквозная установка
Упаковка:
-
Даташит:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Peak Reflow Temperature (Cel)
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
Collector Emitter Voltage (VCEO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Current - Collector Cutoff (Max)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
Collector Emitter Breakdown Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Base Voltage (VCBO)
Emitter Base Voltage (VEBO)
Детали продукта
Обзор STBV42
Как объяснено выше, коэффициент усиления постоянного тока учитывает скорость, с которой ток базы проходит через ток коллектора; следовательно, коэффициент усиления постоянного тока для этого устройства составляет 10 @ 400mA 5V. Single BJT transistor offers maximum design flexibilSingle BJT transistory wSingle BJT transistorh a collector emSingle BJT transistorter saturation voltage of 400mV. In VCE saturation, Ic is at its maximum value (saturated), and the vce saturation (Max) is 1.5V @ 250mA, 750mA. The emitter base voltage can be kept at 9V for high efficiency. The current rating of this fuse is 1A, which means that transistor can carry an indefintransistore amount of current wtransistorhout deteriorating too much. Single BJT transistor is possible to have a collector current as low as 1A volts at Single BJT transistors maximum.
STBV42 Features
the DC current gain for this device is 10 @ 400mA 5V
a collector emitter saturation voltage of 400mV
the vce saturation(Max) is 1.5V @ 250mA, 750mA
the emitter base voltage is kept at 9V
the current rating of this device is 1A
STBV42 Applications
There are a lot of STMicroelectronics
STBV42 applications of single BJT transistors.
- Inverter
- Interface
- Driver
- Muting
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы