Номер детали:
STD150NH02L-1
Категория:
Транзисторы
Описание:
MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный Трубка 3.5m ? @ 75A, 10V ±20V 4450pF @ 15V 93nC @ 10V TO-251-3 Короткие Выводы, IPak, TO-251AA
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Peak Reflow Temperature (Cel)
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
Continuous Drain Current (ID)
Gate to Source Voltage (Vgs)
Drain to Source Breakdown Voltage
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
Avalanche Energy Rating (Eas)
Детали продукта
STD150NH02L-1 Обзор
Происходит лавинный пробой, при котором энергия подается на MOSFET, вызывая его пробой, и эта энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 500 мДж.Операционные усилители с заземленным входом имеют фиксированный параметр входной емкости CI, и это устройство имеет максимальную входную емкость 4450 пФ @ 15 В.Устройства могут проводить максимальный непрерывный ток 3 А в области стока, поэтому непрерывный стоковый ток (ID) для этого устройства составляет 150 А.В этом устройстве напряжение пробоя сток-исток составляет 24 В и VGS=24 В, поэтому напряжение пробоя сток-исток в данном случае равно 24 В.Это [69 нс], потому что требуется время для зарядки входной емкости устройства, прежде чем может начаться проводимость стокового тока.Что касается пикового стокового тока, его максимальный импульсный ток составляет 600 А.Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET - это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 20 В.Устройство подобного типа снижает общее энергопотребление при использовании напряжения привода (5 В 10 В).
STD150NH02L-1 Особенности
номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 500 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 150 А
напряжение пробоя сток-исток 24 В
время задержки выключения составляет 69 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 600 А.
STD150NH02L-1 Применения
Существует множество применений STMicroelectronics
STD150NH02L-1 в одиночных транзисторах MOSFET.
- Синхронный выпрямление для ATX 1 Сервера I Телеком PSU
- Двигательные приводы и источники бесперебойного питания
- Микро солнечный инвертор
- DC/DC преобразователи
- Электроинструменты
- Двигательные приводы и источники бесперебойного питания
- Синхронный выпрямление
- Схема защиты аккумулятора
- Телеком 1 Серверные блоки питания
- Промышленные источники питания
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы