Номер детали:
STD15N65M5
Категория:
Транзисторы
Описание:
MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный Tape & Reel (TR) 340m ? @ 5.5A, 10V ±25V 816pF @ 100V 22nC @ 10V 650V TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Детали продукта
STD15N65M5 Обзор
Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и течет ток. Это называется ?Avalanche break down?, и энергия, прикладываемая к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 160 мДж. Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными выводами операционного усилителя с заземленным любым входом, и максимальная входная емкость этого устройства составляет 816 пФ @ 100 В. Стоковый ток — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, и непрерывный стоковый ток (ID) этого устройства составляет 11 А. Время выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока, и его время выключения составляет 30 нс. IDM — это максимальный номинальный пиковый стоковый ток для силового MOSFET, и его максимальный импульсный стоковый ток составляет 44 А. Время включения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости стокового тока, и его время задержки составляет 30 нс. Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, которое падает на выводах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 25 В. Рекомендуется, чтобы напряжение пробоя DS у одиночных транзисторов MOSFET поддерживалось выше 650 В для поддержания нормальной работы. Для работы этого транзистора требуется напряжение сток-исток 650 В (Vdss). Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.
STD15N65M5 Особенности
номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 160 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 11 А
время выключения 30 нс
на основе его номинального пикового стокового тока 44 А.
напряжение сток-исток 650 В (Vdss)
STD15N65M5 Применения
Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STD15N65M5.
- LCD/LED телевизоры
- Потребительская бытовая техника
- Освещение
- Источники бесперебойного питания
- AC-DC источники питания
- Синхронный выпрямитель для ATX 1 Server I Telecom PSU
- Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
- Микро солнечные инверторы
- DC/DC преобразователи
- Электроинструменты
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы