STH110N10F7-6 [STMicroelectronics]

STH110N10F7-6 Обзор

Максимальная входная ёмкость устройства составляет 5117 пФ при 50 В, но его параметр входной ёмкости, CI, измеряется как ёмкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом. Его непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 110 А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Single MOSFETs transistor is the voltage at which VDS flows at a specified ID value, wSingle MOSFETs transistorh VGS=100V, и это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 100 В. Время задержки выключения устройства – это время, необходимое для зарядки его входной ёмкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 52 нс. Перед началом проводимости стокового тока входная ёмкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 25 нс. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET – это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 20 В. Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

STH110N10F7-6 Характеристики

непрерывный стоковый ток (ID) 110 А
напряжение пробоя сток-исток 100 В
время задержки выключения 52 нс

STH110N10F7-6 Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STH110N10F7-6.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Схема защиты аккумулятора
• Силовые источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ для, например, Silverbox ПК, адаптеров, ЖК и PDP телевизоров,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• Преобразователи DC-DC