Name: STP18N55M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP18N55M5

Обзор STP18N55M5

В результате лавинного пробоя, энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия составляет 200 мДж. CI относится к емкости между двумя входными клеммами на операционном усилителе с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 1260 пФ при 100 В. В этом устройстве ток стока (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 550 В, где VDS соответствует ID, при котором протекает заданное значение ID, и VGS равно 550 В. В результате времени задержки выключения, которое составляет 29 нс, устройству требуется время для зарядки своей входной емкости перед началом проводимости тока стока. Пиковый ток стока составляет 52 А, его максимальный импульсный ток стока. Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, падающие на клеммах затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 25 В. Пороговое напряжение — это точка, в которой электрическое устройство активирует любую из своих операций, и для этого транзистора оно составляет 4 В. Кроме снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности STP18N55M5

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 200 мДж
непрерывный ток стока (ID) 13 А
напряжение пробоя сток-исток 550 В
время задержки выключения 29 нс
на основе его номинального пикового тока стока 52 А.
пороговое напряжение 4 В