Name: STP32N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP32N65M5

Обзор STP32N65M5

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, а номинальное значение лавинной энергии составляет 650 мДж. CI относится к емкости между двумя входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 3320 пФ при 100 В. В этом устройстве ток стока (ID) равен непрерывному току, который может проводить транзистор. Это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 650 В, где VDS соответствует ID, при котором течет заданное значение ID, и VGS равно 650 В. В результате времени задержки выключения, которое составляет 53 нс, устройству требуется время для зарядки входной емкости перед началом проводимости тока стока. Существует пиковый ток стока 96 А, его максимальный импульсный ток стока. Зарядка входной емкости задерживает проводимость тока стока до тех пор, пока время, необходимое для зарядки входной емкости, не достигнет 53 нс. Напряжения затвор-исток (VGS) — это напряжения, падающие на клемме затвор-исток транзисторов FET. VGS иногда составляет 25 В. Пороговое напряжение — это точка, в которой электрическое устройство активирует любую из своих операций, и для этого транзистора оно составляет 4 В. Помимо снижения потребления мощности, это устройство использует напряжение привода (10 В).

Особенности STP32N65M5

номинальное значение лавинной энергии (Eas) составляет 650 мДж
непрерывный ток стока (ID) 24 А
напряжение пробоя сток-исток 650 В
время задержки выключения составляет 53 нс
на основе его номинального пикового тока стока 96 А.
пороговое напряжение 4 В