Name: STP9NK90Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP9NK90Z

STP9NK90Z [STMicroelectronics]

Номер детали:

STP9NK90Z

Категория:

Транзисторы

Производитель:

STMicroelectronics

Описание:

МОСФЕТ (Металл-оксидный) N-канальный трубка 1.3 ? @ 3.6A, 10V ±30V 2115pF @ 25V 72nC @ 10V TO-220-3

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

1.3Ohm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Voltage - Rated DC

900V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Current Rating

Base Part Number

STP9N

Pin Count

Number of Elements

Power Dissipation-Max

160W Tc

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

160W

Turn On Delay Time

22 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2115pF @ 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

8A Tc

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Rise Time

13ns

Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

28 ns

Turn-Off Delay Time

55 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

3.75V

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

900V

Avalanche Energy Rating (Eas)

220 mJ

Height

15.75mm

Length

10.4mm

Width

4.6mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Детали продукта

Описание STP9NK90Z

Оптимизируя базирующийся на полосах макет PowerMESH от STMicroelectronics, получена серия SuperMESH. Кроме того, STP9NK90Z обеспечивает превосходную способность dv/dt для очень требовательных применений, несмотря на значительное снижение сопротивления в открытом состоянии.

Power MOSFETs из этой серии являются дополнением к полному ассортименту высоковольтных MOSFET от ST.

Особенности STP9NK90Z

100% протестировано на лавинный пробой
Чрезвычайно высокая способность dv/dt
Заряд затвора минимизирован

Применения STP9NK90Z

Автомобильные применения
Общий источник постоянного тока
Драйвер LED с постоянным током
Активное управление смещением для аудиоусилителей

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

STx9NK90Z

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.