Номер детали:
STU6N60M2
Категория:
Транзисторы
Описание:
MOSFET (Металл-окисел) N-канальный Tube 1.2 ? при 2.25A, 10V ±25V 232pF при 100V 13.5nC при 10V 600V TO-251-3 короткие выводы, IPak, TO-251AA
Упаковка:
-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
Continuous Drain Current (ID)
Gate to Source Voltage (Vgs)
Drain to Source Breakdown Voltage
Детали продукта
STU6N60M2 Обзор
Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 232 пФ при 100 В. Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 4,5 А, который является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Используя VGS=650 В и заданное значение ID, пробивное напряжение сток-исток составляет VDS, при котором течет заданное значение ID. У этого устройства пробивное напряжение сток-исток составляет 650 В (то есть нет потока заряда от стока к истоку). Когда устройство выключено, время задержки выключения составляет 24 нс, так как входная емкость заряжается перед началом проводимости стокового тока. Перед тем как начнется проводимость стокового тока, время задержки включения устройства тратит время на заряд его входной емкости. Это время задержки составляет 9,5 нс. Напряжение на клемме затвор-исток транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 25 В. Этот транзистор требует напряжение сток-исток (Vdss) 600 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10V).
STU6N60M2 Особенности
непрерывный стоковый ток (ID) 4,5 А
пробивное напряжение сток-исток 650 В
время задержки выключения 24 нс
напряжение сток-исток 600 В (Vdss)
STU6N60M2 Применения
Существует множество применений STMicroelectronics
STU6N60M2 одиночных транзисторов MOSFET.
- Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
- Микро солнечный инвертер
- DC/DC преобразователи
- Электроинструменты
- Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
- Синхронная выпрямление
- Схема защиты аккумулятора
- Телекоммуникационные серверные блоки питания
- Промышленные блоки питания
- Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы