STW30N65M5 [STMicroelectronics]

STW30N65M5 Обзор

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинный пробой", и лавинная энергия прикладывается к транзисторам MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет рейтинг 500 мДж. При grounded входе параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными выводами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 2880пФ @ 100В. Ток стока устройства - это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 22А. При напряжении пробоя сток-исток 650В и скорости течения тока сток-исток 1, это устройство имеет напряжение пробоя сток-исток 650В. Время задержки выключения - это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 50 нс. Пиковый ток стока для этого устройства составляет 88А, что является его максимальным импульсным током стока. Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения составляет 50 нс. Одиночный транзистор MOSFET - это напряжение, которое падает между затвором и истоком транзистора FET, которое называется напряжением затвор-исток, VGS. Использование напряжения управления (10В) снижает общее потребление мощности этого устройства.

STW30N65M5 Характеристики

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 500 мДж
непрерывный ток стока (ID) 22А
напряжение пробоя сток-исток 650В
время задержки выключения 50 нс
на основе его номинального пикового тока стока 88А.

STW30N65M5 Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET STMicroelectronics STW30N65M5.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• AC-DC источник питания
• Синхронный выпрямитель для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель