STW80NE06-10 Overview

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", и энергия, приложенная к MOSFET, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 350 мДж.Максимальная входная емкость этого устройства составляет 7600 пФ @ 25 В, поскольку входная емкость операционного усилителя определяется как разница между входными клеммами с одним входом, заземленным.Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 80 А.Когда VGS=60 В, и ID течет к VDS при 60 В VDS, напряжение пробоя сток-исток в этом устройстве составляет 60 В.Для этого устройства нет максимального импульсного стокового тока, основанного на его номинальном пиковом стоковом токе 320 А.Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между затвором и истоком транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS.Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его энергопотребление.

STW80NE06-10 Features

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 350 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 80 А
напряжение пробоя сток-исток 60 В напряжение
на основе его номинального пикового стокового тока 320 А.

STW80NE06-10 Applications

Существует множество STMicroelectronics
применений STW80NE06-10 одиночных транзисторов MOSFET.

• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Телекоммуникационные серверные блоки питания
• Промышленные блоки питания
• Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Ступени ШИМ для например, PC Silverbox, адаптер, LCD и PDP TV,