Номер детали:
CSD23203WT
Категория:Транзисторы
Описание:MOSFET (Metal Oxide) P-канал лента и кассета (TR) 19.4 мОм ? при 1.5 А, 4.5 В 914 пФ при 4 В 6.3 нКл при 4.5 В 8 В 6-UFBGA, DSBGA
Упаковка:-
Статус производства:
Статус наличия:
Спецификация
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Transistor Element Material
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Drain to Source Voltage (Vdss)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
Continuous Drain Current (ID)
Gate to Source Voltage (Vgs)
Drain Current-Max (Abs) (ID)
Drain-source On Resistance-Max
Drain to Source Breakdown Voltage
Детали продукта
CSD23203WT Обзор
Максимальная входная емкость устройства составляет 914 пФ при 4 В, но его параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом. Его непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 3 А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, при котором VDS протекает при заданном значении ID, wSingle MOSFETs transistorh VGS=-8V, и это устройство имеет пробивное напряжение сток-исток -8V. Его стоковый ток составляет 3 А, и это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить. Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед началом проводимости стокового тока, которое составляет 58 нс. Перед началом проводимости стокового тока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 14 нс. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его клеммами затвора и истока, которое составляет -6 В. Пороговое напряжение электрического устройства определяет, когда начнется любая из его операций, и у этого транзистора пороговое напряжение составляет -800 мВ. Для работы этого транзистора необходимо приложить напряжение сток-исток 8 В (Vdss). Это устройство не использует напряжение привода (1.8 В 4.5 В) для снижения общего энергопотребления.
CSD23203WT Особенности
непрерывный стоковый ток (ID) 3 А
пробивное напряжение сток-исток -8 В
время задержки выключения 58 нс
пороговое напряжение -800 мВ
напряжение сток-исток 8 В (Vdss)
CSD23203WT Применения
Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET Texas Instruments CSD23203WT.
- Электроинструменты
- Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
- Синхронный выпрямление
- Схема защиты аккумулятора
- Телекоммуникационные источники питания серверов
- Промышленные источники питания
- Ступени PFC, ступени ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
- Ступени ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP TV,
- Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
- Преобразователи DC-DC
Ключевые особенности
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения
Сценарии применения недоступны
Документы
PCN Design/Specification: