Транзисторы

Диодный массив GP 75 В 300 мА SOT23-3.Диодный массив 1 пара последовательное соединение 75 В 300 мА (DC) поверхностный монтаж TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IKWH75N65EH7XKSA1 — это дискретный прибор TRENCHSTOP™ IGBT7 от компании Infineon Technologies с напряжением коллектор–эмиттер 650 В и током 75 А, оснащённый быстрым и мягким диодом обратного хода в корпусе TO-247-3 HCC. Благодаря низкому напряжению насыщения коллектор–эмиттер, низким потерям при переключении, высокой скорости переключения и максимальной температуре перехода 175 °C он идеально подходит для промышленных инверторов, приводов двигателей, сварочного оборудования, цепей коррекции коэффициента мощности (PFC), источников бесперебойного питания (ИБП) и высокоэффективных систем преобразования электрической энергии.

Малосигнальные переключающие диоды SOT23,215mA,75V,Двухканальный,Переключающий

NPN, диапазон рабочих температур от -65 °C до 150 °C (TJ), ток утечки 100 нА, 1 элемент, 3 вывода, кремниевый NPN-транзистор в корпусе TO-243AA, в ленте с отрезанными участками (CT), для поверхностного монтажа

MOSFET (Метал-Оксид) Канал N Трубка 5.9 мОм при 103A, 10V ±30V 10470 пФ при 50V 227 нКл при 10V TO-247-3

Транзистор PNP 60V 5.7A SOT-223.Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 5.7 А 110 МГц 770 мВт Поверхностный монтаж SOT-223

МДП-транзистор P-канальный 200V 11A TO220AB.P-канальный 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB

8 SOIC-18-300mil Darlington Transistor Arrays ROHS

Диод стандартный 75V 250MA SOD523.Диод 75 V 250mA поверхностный монтаж SOD-523

MOSFET (Метал-оксид) P-канальный лента и катушка (TR) 120 мОм @ 2.8 А, 4.5 В ±8 В 425 пФ @ 10 В 8 нКл @ 4.5 В 20 В TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

N-канальный лента и катушка (TR) 20.5m Ω @ 25A, 10V ±20V 1650pF @ 25V 72nC @ 10V TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK.P-канальный 200 V 11A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Поверхностный монтаж TO-263 (D2PAK)

RF диод PIN 45V 2W 3QFN.RF диод PIN - одиночный 45V 1.5 A 2 W 3-QFN (2x2)

RF MOSFET LDMOS 50 В TO270-2.RF Mosfet 50 В 10 мА 512 МГц 25.4 дБ 25 Вт TO-270-2 GULL

Диод Шоттки 40В 500мА SOD323.Диод 40 В 500 мА Поверхностный монтаж SOD-323

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP.N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) сквозное отверстие 4-HVMDIP

Диодный массив GP 60V 200MA SOT143B.Диодный массив 2 независимых 60 V 200mA (DC) Поверхностный монтаж TO-253-4, TO-253AA

Диод Шоттки 40В 1А SOD123.Диод 40 В 1А поверхностный монтаж SOD-123

DIODE STANDARD 1000V 1A SMA.Diode 1000 V 1A Surface Mount SMA

MOSFET (Метал-Оксид) N-канальный 2.2мОм @ 25A, 10V ±20V 17200 пФ @ 50 V 160 нКл @ 10 V 100 V SOT-1235

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO.Bipolar (BJT) Transistor Array Surface Mount 16-SO

MOSFET (Металл-оксид) N-канальный Нарезная лента (CT) 32m ? @ 4.2A, 4.5V ±12V 655pF @ 10V 11nC @ 4.5V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3