Инструменты разработки ИС памяти

Память ИС

MT62F2G32D4DS-026 WT:B — это микросхема памяти LPDDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит производства Micron Technology. Выполнена по архитектуре 2G × 32, оснащена сверхширокополосным интерфейсом LPDDR5, работает при низком напряжении 1,05 В, обладает расширенными функциями управления питанием и выпускается в компактном корпусе TFBGA с 315 шарами. Микросхема подходит для автомобильной электроники, мобильных устройств, систем граничных вычислений с ИИ, промышленных встраиваемых платформ и высокопроизводительных приложений на базе SoC. MT62F2G32D4DS-026 WT:B обеспечивает производительность LPDDR5 нового поколения от Micron, оптимизированную для высокой пропускной способности, энергоэффективности и ресурсоёмких вычислительных задач.

441-Ball, x32 Automotive LPDDR5X SDRAM (Y52P) Y52P, LPDDR5X, QDP (8GB), 8DP (16GB), 441b, MT62F1G64D4, MT62F2G64D8 MT62F2G64D8EK-023 AIT:C is a Micron 128Gbit / 16GB LPDDR5X mobile DRAM component organized as 2G x 64 and supplied in a compact 441-ball TFBGA package. It supports up to 8533MT/s data rate, 4266MHz clock frequency, 1.05V VDD2H / 0.5V VDDQ operation, 8-die stacked configuration, and an automotive-grade -40°C to +95°C temperature range. It is suitable for automotive infotainment, digital cockpit systems, ADAS platforms, edge AI devices, embedded computing, mobile devices, industrial vision systems, networking equipment, video processing, and high-performance SoC-based designs requiring high-bandwidth low-power memory. File Type: pdf Updated: 2025-09-15

128GB 2.7V~3.6V eMMC 5.1 235/- MB/s FBGA-153(11.5x13) Memory (ICs) ROHS

NT5CC64M16GP-DI — это микросхема оперативной памяти SDRAM DDR3L объёмом 1 Гбит от компании Nanya Technology, организованная по схеме 64 М × 16. Поддерживает максимальную скорость передачи данных до 1600 Мбит/с, работает от источника питания DDR3L напряжением 1,35 В и выпускается в компактном корпусе BGA/VFBGA с 96 шариковыми выводами. При тактовой частоте 800 МГц, 16-битной шине данных, архитектуре с 8 банками и рабочем температурном диапазоне для коммерческого применения от 0 °C до +95 °C данная микросхема подходит для использования в встраиваемых системах, сетевом оборудовании, промышленных платах управления, шлюзах Интернета вещей, потребительской электронике, системах обработки видео и компактных вычислительных платформах, требующих высокоскоростной внешней системной памяти.

IC FLASH 16Гбит PAR 48TSOP I.FLASH - NAND память ИС 16Гбит параллельный 48-TSOP I

Микросхема памяти 10.5mm mm

H5AN4G6NBJR-UHI — это 4 Гб микросхема оперативной памяти DDR4 SDRAM, произведенная компанией SK hynix. Микросхема имеет организацию 256 М × 16, соответствует скоростному классу DDR4-2400, работает при низком напряжении 1,2 В и выполнена в компактном корпусе FBGA-96. Она предназначена для систем промышленного управления, встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, потребительской электроники и электронных устройств с длительным сроком службы. H5AN4G6NBJR-UHI обеспечивает надёжную производительность памяти, эффективное энергопотребление и стабильную пропускную способность DDR4 для современных встраиваемых и промышленных применений.

DDR DRAM, 256MX16, КМОП, ПБГА96, ФБГА-96

W25Q80DVSSIG is a Winbond 8Mbit / 1MB Serial NOR Flash memory from the W25Q80DV SpiFlash® family, supporting Standard SPI, Dual SPI, and Quad SPI interfaces with up to 104MHz clock frequency. Operating from 2.7V to 3.6V and supplied in an 8-pin SOIC package, it is suitable for MCU firmware storage, boot code, embedded systems, IoT devices, networking equipment, consumer electronics, industrial control boards, and configuration memory applications.

W25Q16JVSSIQ is a Winbond 16Mbit / 2MB Serial NOR Flash memory from the W25Q16JV SpiFlash® family, supporting Standard SPI, Dual SPI, and Quad SPI interfaces with up to 133MHz clock frequency. Operating from 2.7V to 3.6V and supplied in an 8-pin SOIC package, it is well suited for MCU firmware storage, BIOS and boot code, embedded systems, IoT modules, routers, gateways, industrial control boards, consumer electronics, and configuration memory applications.

eMMC 8ГБ iNAND 7250 eMMC 5.1 WD/SD

ИС ПАМЯТИ

DDR DRAM, 128MX16, 0.225нс, CMOS, PBGA96, VFBGA-96

Модели IS43/46LQ32256A и IS43/46LQ32256AL представляют собой 8 Гбит низкопотребляющую динамическую память с последовательным доступом (LPDDR4 SDRAM) на основе КМОП-технологии. Устройство организовано в виде двух каналов, каждый из которых состоит из 8 банков по 16 бит. Данное изделие использует архитектуру двойной скорости передачи данных (DDR) для обеспечения высокоскоростной работы. Архитектура DDR по сути представляет собой архитектуру предварительной выборки (prefetch) объемом 16N с интерфейсом, предназначенным для передачи двух слов данных за один тактовый цикл на выводах ввода-вывода (I/O). Изделие поддерживает полностью синхронные операции, синхронизируемые как по фронтам, так и по спадам тактового сигнала. Внутренние пути передачи данных имеют конвейерную структуру, а данные предварительно выбираются порциями по 16N бит для достижения очень высокой пропускной способности.

ИС памяти

Память ИС

DDR5 ОЗУ, 1GX16, CMOS, PBGA102,

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж StrataFlash™ 56 выводов Интегральная схема памяти Серия StrataFlash™ 28F640P30 64 Mb kb 18.4mm mm 28mA mA 16b b

StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F256J3

StrataFlash™ 56 выводов Интегральная схема памяти Серия StrataFlash™ 28F128P33 128 Мбит кбит 18.4 мм мм

StrataFlash™ 56-контактный Интегральная схема памяти StrataFlash™ Серия 28F128P33 18.4mm mm

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж StrataFlash™ Интегральная схема памяти StrataFlash™ Серия 48F4000P0 256 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3В В StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 48F3000P0

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж StrataFlash™ 88 выводов Интегральная схема памяти StrataFlash™ серия 48F2000P0 64 Mb kb 10mm mm 28mA mA 16b b

Память ИС 28F1604C3

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Series 48F4400P0 512 Mb kb 28mA mA 16b b

Поверхностный монтаж StrataFlash™ Интегральная схема памяти StrataFlash™ Серия 28F640P33 64 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж StrataFlash™ Интегральная схема памяти StrataFlash™ Серия 28F640P30 64 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V Поверхностный монтаж StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 28F640P30 64 Mb kb 28mA mA 16b b

StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F256P33 256 Mb kb 28mA mA 16b b

StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия

3/3.3 В В StrataFlash? Микросхема памяти Серия StrataFlash? 28F256J3 256 Мбит кбит

StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 28F128P33 128 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 48F4400P0 512 Mb kb 11mm mm 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V Стратафлэш™ Микросхема памяти Серия Стратафлэш™ 48F4000P0 256 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ Память ИС StrataFlash™ Серия 48F3000P0 128 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 48F3000P0 128 Mb kb 28mA mA 16b b

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ 88 выводов Интегральная схема памяти Серия StrataFlash™ 48F2000P0 10mm mm

1.81.8/3.3V V StrataFlash™ 88 выводов Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 48F2000P0 10mm mm

Axcell™ 64 выводов Интегральная схема памяти Серия Axcell™ 48F4400P0 512 Мб Кб 13 мм мм 31 мА мА 16 б б

StrataFlash™ Микросхема памяти Серия StrataFlash™ 48F4400P0