РЧ резисторы

Fixed Attenuator YAT-9A+ with 50Ω, 1.1W, 9 dB attenuation from DC to 18 GHz

Fixed attenuator with 50Ω impedance, 1.2W power handling, 8 dB attenuation, DC to 18 GHz frequency range.

Fixed attenuator with 50Ω impedance, 1.6W power handling, 6 dB attenuation, DC to 18 GHz frequency range.

Fixed Attenuator YAT-15A+ 50Ω 1.4W 15 dB DC to 18 GHz

The resistor array is constructed in a high grade ceramic body (aluminum oxide).

The datasheet describes two chip resistor products: the WT04X Chip Resistor Network and the WA04P Chip Attenuator.

The resistor array is constructed in a high grade ceramic body (aluminum oxide).

The WT04X is a chip resistor network constructed in a high grade ceramic body. The WA04P is a chip attenuator for VCO applications.

The resistor array is constructed in a high grade ceramic body (aluminum oxide).

WT04X Chip Resistor Network and WA04P Chip Attenuator. The resistor array is constructed in a high grade ceramic body and the attenuator is designed for VCO applications.

The resistor array is constructed in a high grade ceramic body (aluminum oxide). Internal metal electrodes are added at each end and connected by a resistive paste that is applied to the top surface of the substrate.

The resistor array is constructed in a high grade ceramic body (aluminum oxide). Internal metal electrodes are added at each end and connected by a resistive paste that is applied to the top surface of the substrate.

Chip Resistors and Attenuators: WT04X resistor network and WA04P attenuator.

Datasheet for chip resistor networks and attenuators, including WT04X and WA04P series specifications.

Chip Resistor Network and Chip Attenuator components.

The resistor array is constructed in a high grade ceramic body (aluminum oxide). Internal metal electrodes are added at each end and connected by a resistive paste that is applied to the top surface of the substrate.

The resistor array is constructed in a high grade ceramic body (aluminum oxide). Internal metal electrodes are added at each end and connected by a resistive paste that is applied to the top surface of the substrate.

Chip Resistors

4.2 МГц ~ 500 ГГц 39 дБ 4-SMD модуль 50 Ом

2.2 МГц ~ 5 ГГц 34 дБ 4-SMD модуль 50 Ом

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 50MHz~600MHz 12dB 12-WFQFN Открытая подложка Лента и катушка (TR) 100Ohm КОМПОНЕНТ 31.99dBm

Переменный аттенюатор 50 МГц ~ 600 МГц 12.4 дБ 8-VFQFN с открытой подложкой Лента и катушка (TR) 50 Ом КОМПОНЕНТ 600 МГц 26.99 дБм

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 100 МГц~3.7 ГГц 15 дБ 16-VFQFN с открытой подложкой лента разреза (CT) 50 Ом

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 100 МГц~3 ГГц 1 дБ ~ 15 дБ 16-WQFN с открытой подложкой Лента и кассета (TR) 50 Ом КОМПОНЕНТ 3000 МГц 30 дБм

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 700МГц~4ГГц 0.5дБ ~ 15.5дБ 24-VFQFN Exposed Pad Лента и катушка (TR) 50Ом КОМПОНЕНТ 4000МГц 30дБм

300 кГц ~ 2 ГГц 0.5 дБ ~ 15.5 дБ 32-VFQFN открытая подложка Лента и катушка (TR) 50 Ом

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 500 МГц ~ 4 ГГц 15.5 дБ 24-VFQFN с открытой подложкой Лента и катушка (TR) 50 Ом КОМПОНЕНТ 4000 МГц 30 дБм

Переменный аттенюатор 0Гц~1ГГц 31.5дБ 32-VFQFN с открытой подложкой Лента и катушка (TR) 50Ом КОМПОНЕНТ 1000МГц 33.01дБм 1.6 2Вт

Переменный аттенюатор 400 МГц ~ 4 ГГц 31 дБ 16-WFQFN с открытой подложкой Лента и катушка (TR) 50 Ом КОМПОНЕНТ 4000 МГц

ФИКСИРОВАННЫЙ АТТЕНЮАТОР 500 МГц ~ 4 ГГц 15.5 дБ 16-WFQFN с открытым подложкой Лента и катушка (TR) 50 Ом КОМПОНЕНТ 4000 МГц 33.01 дБм

Переменный аттенюатор 500MHz~6GHz 1dB ~ 7dB 16-WFQFN открытая подложка лента и кассета (TR) 50 Ом компонент 6000MHz

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 500MHz~4GHz 4dB ~ 12dB SC-74, SOT-457 Лента и катушка (TR) 50Ohm КОМПОНЕНТ 4000MHz 31dBm

Переменный аттенюатор 500 МГц ~ 3 ГГц 1 дБ ~ 31 дБ 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118, 3.00 мм Ширина) Экспонированная подложка Лента и катушка (TR) 50 Ом КОМПОНЕНТ 3000 МГц

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 500MHz~4GHz 0.5dB ~ 15.5dB 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118, 3.00mm Width) Лента и Катушка (TR) 50Ohm КОМПОНЕНТ 4000MHz 30dBm 1W

ПЕРЕМЕННЫЙ АТТЕНЮАТОР 2.1 ГГц ~ 2.3 ГГц 34 дБ 8-TQFN Лента и катушка (TR) 50 Ом

Переменный аттенюатор 1.7ГГц~2.3ГГц 19дБ 8-SOIC (0.154, 3.90мм Ширина) Нарезная лента (CT) 50Ом 4Вт

0 Гц ~ 6 ГГц 10 дБ Модуль, SMA-разъемы 50 Ом

0 Гц ~ 6 ГГц 3 дБ модуль SMA In-Line 50 Ом

0 Гц ~ 6 ГГц 6 дБ TNC линейный модуль 50 Ом

0 Гц ~ 6 ГГц 3 дБ TNC модуль в линии 50 Ом

0 Гц ~ 6 ГГц 3 дБ Модуль 50 Ом

0 Гц ~ 4 ГГц 3 дБ HEX In-Line Module 50 Ом

0 Гц ~ 2 ГГц 6 дБ TNC линейный модуль 50 Ом

0 Гц ~ 2 ГГц 6 дБ TNC In-Line Module 50 Ом

0 Гц ~ 2 ГГц 6 дБ Модуль, SMA коннекторы 50 Ом

0 Hz ~ 2 GHz 6dB Модуль 50 Ом

0 Гц ~ 4 ГГц 10 дБ TNC встроенный модуль 50 Ом

0 Гц ~ 4 ГГц 3 дБ N-типа модуль в линии 50 Ом