Инструменты разработки

HEMT Плата(ы) 2.7ГГц~3.1ГГц

HEMT Плата 960MHz~1.215GHz

MESFET Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 0Hz~2.4GHz

MESFET Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 0 Гц ~ 2.7 ГГц

Усилительная плата 8ГГц~11ГГц

Серия GaN Усилительная плата 6 ГГц ~ 12 ГГц

Усилитель Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 5.5 ГГц ~ 8.5 ГГц

Усилитель серии GaN Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 5.5 ГГц ~ 8.5 ГГц 28 В

GaN серия усилительные платы 5.5 ГГц ~ 8.5 ГГц

Серия GaN Усилительные платы 5.2ГГц~5.9ГГц

Усилитель серии GaN Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 2.5 ГГц ~ 6 ГГц 28 В

Усилительная плата 13.75ГГц~14.5ГГц

HEMT Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 13.75GHz~14.5GHz

Серия GaN усилительная плата 500 МГц ~ 2.7 ГГц

Усилитель серии GaN Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 20 МГц ~ 6 ГГц 50 В

Усилитель серии GaN Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 6 ГГц 28 В

9.6ГГц

FET Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 8.4GHz~9.6GHz

9.6GHz

HEMT Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 5.2GHz~5.9GHz

HEMT Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 5.2 ГГц ~ 5.9 ГГц

HEMT плата(ы) 5.2 ГГц ~ 5.9 ГГц

HEMT платы 4.4ГГц~5ГГц

500МГц

FET Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 500MHz~2.5GHz

Транзистор Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 0Hz~4GHz

HEMT платы 0Hz~6GHz

FET Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 960MHz~1.4GHz

FET Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 2.9ГГц~3.5ГГц

FET Частично заполненная плата - Основная ИС не включена 2.9GHz~3.5GHz

HEMT Частично заполненная плата - Основная микросхема не включена 2.7GHz~3.1GHz