EG Micro

Конец жизненного цикла DDR4 (EOL): влияние Samsung, Micron и Renesas на промышленную память

MT53D1024M32D4DT EOL: Руководство по миграции Micron LPDDR4X

4A8G085WC-BCTD EOL: Руководство по миграции Samsung DDR4 на BIWE (≤70 символов)

Разработка LDO HT7550-1: максимальное увеличение срока службы батареи узла датчика IoT

Повышение цен на тайваньские компоненты: влияние на MLCC, резисторы и силовые устройства