MACOM

The XL1000-BD is a 3-stage 20 - 40 GHz GaAs MMIC low noise amplifier that has a small signal gain of 20 dB with a noise figure of 2 dB across the band.

18.0-50.0 GHz GaAs MMIC distributed amplifier with 17.0 dB small signal gain and 5.0 dB noise figure.

4.2 МГц ~ 500 ГГц 39 дБ 4-SMD модуль 50 Ом

2.2 МГц ~ 5 ГГц 34 дБ 4-SMD модуль 50 Ом

15dB Общее назначение 2MHz ~ 700MHz 5V P1dB:12.5dBm 3.3dB

Общего назначения от 1 МГц до 3.4 ГГц 1-микшер 9 дБ нижний преобразователь 4-SMD модуль

30mm Illuminated Metal Operators certified for NEMA Type 4X environment.

Интегральная схема усилителя WCDMA 1.8-2.2 ГГц DSO20-63. РЧ усилительная интегральная схема WCDMA 1.8 ГГц ~ 2.2 ГГц PG-DSO-20-63

Wideband RF LDMOS integrated power amplifier, 40 W, 28 V, 1800–2100 MHz.

8 W, 700 – 2200 MHz RF LDMOS FET

SX1220 and SX1221 are 28 V, 450 mA, 960 MHz RF power transistors for CDMA2000 applications.

Радиочастотный полевой транзистор мощности, 1-элементный, Диапазон сверхвысоких частот, Кремниевый, N-канальный, Полевой транзистор с металло-оксидным полупроводником, Зеленый, H-36265-2, 2 вывода

Общее назначение 2ГГц ~ 24ГГц 3-микшер 9 дБ Нижний конвертер Модуль, SMA разъемы

PIN - одиночный 0.65 пФ @ 50 В, 1 МГц 175°C (TJ) 0805 (2012 метрический)

Универсальный тип РЧ SP3T -65°C ~ 125°C 400МГц ~ 4ГГц Изоляция:34дБ Вносимые потери:0.6дБ - 50Ом IIP3:65дБм 5В, 28В, 125В

Тип ISM RF SPDT -65°C ~ 125°C 400МГц ~ 4ГГц Изоляция:33 дБ Вносимые потери:0.5 дБ - 50 Ом IIP3:65 дБм 5 В, 28 В, 125 В

Schottky - 单 0.12pF @ 0V, 1MHz -65°C ~ 150°C B10B

Schottky - одиночный 0.2pF @ 0V, 1MHz -65°C ~ 150°C 0402 (1005 Metric)

Шоттки - 1 Мост 0.3pF @ 0V, 1MHz -65°C ~ 150°C E45

Шоттки - Одиночный 0.26пФпри 0 В, 1МГц -65°C ~ 150°C E28

Schottky - Одиночный 0.26 пФ при 0 В, 1 МГц -65°C ~ 150°C E25

Поверхностный монтаж E50 Детектор частоты 50МГц ~ 12.5ГГц Общего назначения

Поверхностный монтаж E50SM Детектор частоты 25 МГц ~ 2.5 ГГц Общего назначения

PIN - Одиночный 0.86pF @ 6V, 1MHz -65°C ~ 175°C 0805 (2012 Metric)

PIN - Одиночный 0.86 пФ при 6 В, 1 МГц -65°C ~ 175°C 0805 (2012 Метрический)

PIN - Одиночный 1.06pF @ 6V, 1MHz -65°C ~ 175°C 0805 (2012 Metric)

Поверхностный монтаж CS19-1 Ограничитель 100МГц ~ 20ГГц Общего назначения

Общее назначение 1MHz ~ 4GHz 1-миксер - - FP-2

Один Поверхностный монтаж 36.3пФ @ 4В, 1МГц -55°C ~ 125°C Отношение емкости-4.7 30 В TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

1 пара общего катода Поверхностный монтаж 5.2 пФ при 4 В, 1 МГц -55°C ~ 125°C Коэффициент емкости-3.4 12 В SC-70, SOT-323

1 пара общего катода поверхностный монтаж 51.7 пФ @ 4 В, 1 МГц -55°C ~ 125°C Коэффициент емкости -9.5 22 В TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Один поверхностный монтаж 36.3pF @ 4V, 1MHz -55°C ~ 125°C Коэффициент емкости-9 22 V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Универсальный RF тип SPDT -65°C ~ 125°C 8 ГГц ~ 12 ГГц Изоляция:34 дБ Вносимые потери:0.65 дБ - 50 Ом IIP3:60 дБм 80 В

Универсальный RF тип SPDT -40°C ~ 85°C 0Hz ~ 5GHz Изоляция:11dB Вносимые потери:1.1dB - 50Ohm IIP3:56dBm 0V ~ 2.7V

Керамический конденсатор

Описание: Переключатель разнообразия,

11 дБ ISM 0 Гц ~ 6 ГГц 28 В P1dB:- - Поверхностный монтаж

- Серия Усилительная Плата(ы) 0Гц ~ 6ГГц

11dB ISM 0Hz ~ 6GHz 28V P1dB:- - поверхностный монтаж

Шоттки - одиночный 2pF @ 0V, 1MHz -55°C ~ 125°C (TJ) SC-79, SOD-523

Оптовый

PIN - Один