Инструменты разработки ИС памяти

Память ИС

Поверхностный монтаж 16 выводов Интегральная схема памяти DS28E04 4 kb kb 10mm mm

6 выводов Микросхема памяти 3.94mm mm

Сквозное отверстие Микросхема памяти DS2505 16 kb kb

3-выводная память IC

Память ИС DS2502 1 kb kb

8 выводов память ИС 4.9mm mm

6 пин ИС памяти 3.94 мм мм

Описание: OTP ROM, 128X8, 15000нс, CMOS, PDSO6, БЕЗ СВИНЦА, TSOC-6

Память ИС DS2502 1 кб кб

3-контактная микросхема памяти

3/5 В В 3 вывода ИС памяти DS2502

3/5 В В поверхностный монтаж 8 выводов микросхема памяти DS24B33 4 КБ КБ 5.46 мм мм

Микросхема памяти DS24B33 4 kb kb

Поверхностный монтаж - Микросхема памяти - Серия 4 кб кб 5.46 мм мм

3/5 V V DS2432P 6 выводов Память ИС Серия DS2432P 3.94 mm mm

3/5V V Микросхема памяти DS2431

Поверхностный монтаж Микросхема памяти DS2430A 256 b kb 3.94 мм мм

3-контактный Микросхема памяти DS2430A

3/5 В В 6 выводов ИС памяти DS2423 3.94 мм

3/5 В 24 выводов ИС памяти DS2016 31.75mm mm

32 выводов ИС памяти

32 вывода ИС памяти

5 В В через отверстие 32 вывода Интегральная схема памяти DS1245Y 1 Мб кб 44.19 мм мм

32 пин память ИС

32-пиновая микросхема памяти

5 В 34 выводов ИС памяти DS1230Y 256 кбит кбит 25.019 мм мм

34 вывода ИС памяти

28 выводов Микросхема памяти

- Микросхема памяти - Серия 256 КБ КБ

34 вывод ИС памяти

28-контактная микросхема памяти

5V В 28 контактный память ИС DS1230AB

5 В В 28 выводов Интегральная схема памяти DS1225A

28-контактная ИС памяти

24 вывода ИС памяти 33.785mm mm

24 вывода ИС памяти 33.785мм мм

256bit 2.8V~5.25V 1-Wire TSOC-6 Memory (ICs)

256bit 2.8V~5.25V 1-Wire TO-92-3 Memory (ICs)

Memory (ICs)

BGA-168(16x16) Memory (ICs)

EDIP-32 Memory (ICs) RoHS

DIP-28 Memory (ICs)

DIP-28 Memory (ICs) RoHS

DIP-28 Memory (ICs)