Micron

ИС ОЗУ типа DRAM, 32 Гбит, 2,133 ГГц, корпус 200-VFBGA. ОЗУ типа SDRAM для мобильных устройств, стандарт LPDDR4, ИС памяти, 32 Гбит, 2,133 ГГц, корпус 200-VFBGA (10×14,5 мм)

Micron MT25QL128ABA1ESE-0SIT 128 Мбит флеш-память NOR с интерфейсом Quad SPI, 133 МГц, 8-SOIC Micron MT25QL128ABA1ESE-0SIT представляет собой микросхему последовательной флеш-памяти NOR ёмкостью 128 Мбит с поддержкой интерфейса Quad SPI, рабочей частотой 133 МГц, напряжением питания 2,7–3,6 В и промышленным диапазоном температур от -40°C до +85°C. Эта флеш-память NOR от Micron, разработанная для хранения встроенного микропрограммного обеспечения, загрузочной памяти, промышленных контроллеров, сетевого оборудования, автомобильной электроники и устройств Интернета вещей, обеспечивает высокую скорость чтения, надёжное энергонезависимое хранение данных и компактное исполнение в 8-выводном корпусе SOIC.

Промышленная память Micron MT29F2G08ABAGAWP-IT:G 2Gb SLC NAND Flash с параллельным интерфейсом x8\nMicron MT29F2G08ABAGAWP-IT:G — это высоконадежное запоминающее устройство 2Gb SLC NAND Flash с параллельным интерфейсом NAND x8, напряжением питания 3,3 В, поддержкой промышленного диапазона температур и 48-контактным корпусом TSOP. Разработанная для промышленной автоматизации, встроенных вычислений, сетевого оборудования, автомобильной электроники и приложений долговременного хранения данных, эта флеш-память Micron SLC NAND обеспечивает отличную выносливость, надежное сохранение данных и стабильную производительность для критически важных встраиваемых систем.

MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C is a 128Gb LPDDR5 SDRAM memory device manufactured by Micron Technology. Featuring a 2G × 64 organization, x64 data bus, 441-ball TFBGA package, and high-speed LPDDR5 mobile DRAM architecture, it is designed for smartphones, tablets, automotive electronics, AI edge devices, embedded computing platforms, smart cameras, and multimedia systems. The MT62F2G64D8EK-023 FAIT:C delivers high memory density, low power consumption, compact integration, and reliable Micron LPDDR5 performance for advanced electronic designs.

MT60B4G8AT-64B:B — это микросхема памяти Micron DDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит, организованная как 4 Г × 8 и поставляемая в корпусе VFBGA на 78/117 шариков. Предназначена для высокопроизводительных систем памяти DDR5-6400 и подходит для серверов, центров обработки данных, платформ искусственного интеллекта, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных вычислительных систем, систем хранения данных, встраиваемых высокопроизводительных плат и других применений, требующих внешней системной памяти высокой плотности и высокой скорости.

MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D — это 32-гигабитное устройство LPDDR4 SDRAM производства Micron Technology. Имея организацию 1G × 32, 32-битную ширину шины данных, максимальную тактовую частоту 2,133 ГГц, производительность класса LPDDR4-4266, компактный 200-шариковый корпус VFBGA и широкий диапазон рабочих температур от -40°C до +105°C, оно подходит для автомобильной электроники, информационно-развлекательных систем, телематики, промышленных HMI, встраиваемых вычислений, сетевого оборудования, модулей граничного ИИ, интеллектуальных дисплеев и высокопроизводительных компактных электронных систем. MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление памяти Micron LPDDR4 для требовательных встраиваемых и автомобильных системных разработок.

ИС ОЗУ типа DRAM, 32 Гбит, 2,133 ГГц, корпус 200-VFBGA. ОЗУ типа SDRAM для мобильных устройств, стандарт LPDDR4, ИС памяти, 32 Гбит, 2,133 ГГц, корпус 200-VFBGA (10×14,5 мм)

IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA.FLASH - NOR память IC 2Gbit SPI - четырех I/O 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)

Интегральная схема DRAM 1 Гбит Параллельная 96FBGA.SDRAM - DDR3L Интегральная схема памяти 1 Гбит Параллельная 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 2Гбит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L микросхема памяти 2Гбит параллельный 800 МГц 13.75 нс 96-FBGA (8x14)

MT40A512M16TB-062E:R — это микросхема памяти DDR4 SDRAM объёмом 8 Гбит производства Micron Technology Inc. Организация 512M × 16, ширина шины данных x16, скорость передачи данных 3200 МТ/с, тактовая частота 1600 МГц, напряжение питания DDR4 1,2 В, тайминг CL=22, компактный 96-шариковый корпус TFBGA, диапазон рабочих температур от 0°C до +95°C. Подходит для встраиваемых вычислительных систем, сетевого оборудования, промышленных контроллеров, устройств связи, телевизионных приставок, мультимедийных систем, внешней памяти процессоров и высокоскоростного хранения данных во время выполнения. MT40A512M16TB-062E:R обеспечивает надёжную производительность DDR4 SDRAM Micron для проектирования компактных, высокопропускных и готовых к производству подсистем памяти.

ИС DRAM 4 гигабит параллельная 96FBGA.SDRAM - DDR3L Микросхема памяти 4 гигабит параллельная 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

MT41K256M16TW-107:P — это 4 Гб чип памяти DDR3L SDRAM, произведенный компанией Micron Technology. Благодаря конфигурации 256 М × 16, скорости DDR3L-1866 / 933 МГц, низкому рабочему напряжению 1,35 В и компактному корпусу FBGA/TFBGA с 96 шариками он подходит для встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, промышленных систем, контроллеров хранения данных, потребительской электроники и долговечных коммерческих устройств. MT41K256M16TW-107:P обеспечивает надёжную производительность памяти Micron DDR3L в компактных, энергоэффективных и проверенных на практике электронных решениях.

MT62F2G32D4DS-020 WT:F — это микросхема памяти LPDDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит производства Micron Technology. Благодаря архитектуре 2G × 32, высокоскоростному интерфейсу LPDDR5, сверхнизкому энергопотреблению, расширенным функциям управления питанием и компактному корпусу TFBGA с 315 шариками, она подходит для смартфонов, планшетов, автомобильных информационно-развлекательных систем, устройств граничных вычислений с ИИ, промышленных встраиваемых платформ и высокопроизводительных мобильных приложений. MT62F2G32D4DS-020 WT:F обеспечивает производительность LPDDR5 нового поколения от Micron, оптимизированную по пропускной способности, энергоэффективности и системной интеграции.

The MT62F2G32D4DS-020 WT:F is a 32Gb LPDDR5 SDRAM memory IC manufactured by Micron Technology. Featuring a 2G × 32 architecture, ultra-high bandwidth LPDDR5 interface, low-power 1.05V operation, advanced power management features, and a compact 315-ball TFBGA package, it is ideal for automotive electronics, mobile devices, AI edge computing, industrial embedded systems, and high-performance SoC platforms. The MT62F2G32D4DS-020 WT:F delivers next-generation Micron LPDDR5 performance optimized for bandwidth, efficiency, and advanced computing applications.

MT62F2G32D4DS-026 WT:B — это микросхема памяти LPDDR5 SDRAM объёмом 32 Гбит производства Micron Technology. Выполнена по архитектуре 2G × 32, оснащена сверхширокополосным интерфейсом LPDDR5, работает при низком напряжении 1,05 В, обладает расширенными функциями управления питанием и выпускается в компактном корпусе TFBGA с 315 шарами. Микросхема подходит для автомобильной электроники, мобильных устройств, систем граничных вычислений с ИИ, промышленных встраиваемых платформ и высокопроизводительных приложений на базе SoC. MT62F2G32D4DS-026 WT:B обеспечивает производительность LPDDR5 нового поколения от Micron, оптимизированную для высокой пропускной способности, энергоэффективности и ресурсоёмких вычислительных задач.

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G — это 2-гигабитная флеш-память SLC SPI NAND компании Micron Technology, предназначенная для надежного энергонезависимого хранения данных во встраиваемых системах. Микросхема работает в диапазоне питающих напряжений 2,7–3,6 В, оснащена интерфейсом SPI с частотой до 133 МГц, встроенным ECC, высокой выносливостью (~100 000 циклов программирования/стирания) и выпускается в компактном корпусе 8-UDFN. Она идеально подходит для хранения прошивок, IoT-устройств, промышленных контроллеров, потребительской электроники и встраиваемых приложений. MT29F2G01ABAGDWB-IT:G обеспечивает высоконадежную производительность NAND компании Micron в сочетании с простым малоконтактным интерфейсом SPI.

Автомобильный, AEC-Q100 Память ИС Автомобильный, AEC-Q100 Серия 8mm mm

441-Ball, x32 Automotive LPDDR5X SDRAM (Y52P) Y52P, LPDDR5X, QDP (8GB), 8DP (16GB), 441b, MT62F1G64D4, MT62F2G64D8 MT62F2G64D8EK-023 AIT:C is a Micron 128Gbit / 16GB LPDDR5X mobile DRAM component organized as 2G x 64 and supplied in a compact 441-ball TFBGA package. It supports up to 8533MT/s data rate, 4266MHz clock frequency, 1.05V VDD2H / 0.5V VDDQ operation, 8-die stacked configuration, and an automotive-grade -40°C to +95°C temperature range. It is suitable for automotive infotainment, digital cockpit systems, ADAS platforms, edge AI devices, embedded computing, mobile devices, industrial vision systems, networking equipment, video processing, and high-performance SoC-based designs requiring high-bandwidth low-power memory. File Type: pdf Updated: 2025-09-15

Флэш, 8MX1, PDSO8, 0.208 ДЮЙМА ШИРИНА, РОГС СООТВЕТСТВУЕТ, SOW-8

MT25QL01GBBB8ESF-0SIT — это последовательная NOR-Flash-память объёмом 1 Гбит и напряжением питания 3 В, выпускаемая компанией Micron Technology. Устройство оснащено интерфейсом SPI / Dual SPI / Quad SPI, тактовой частотой 133 МГц, диапазоном рабочего напряжения питания от 2,7 В до 3,6 В, корпусом SOIC/WSOIC с 16 выводами и промышленным температурным диапазоном от −40 °C до +85 °C. Оно подходит для использования в качестве встраиваемой памяти загрузки, хранения прошивок, конфигурации ПЛИС, хранения BIOS/UEFI, промышленных систем управления, сетевого оборудования, телекоммуникационной инфраструктуры, устройств Интернета вещей (IoT), потребительской электроники и транспортных систем. MT25QL01GBBB8ESF-0SIT обеспечивает надёжную работу последовательной NOR-Flash-памяти Micron в компактных, высокопроизводительных и промышленных встраиваемых решениях хранения данных.

IC FLASH 16Гбит PAR 48TSOP I.FLASH - NAND память ИС 16Гбит параллельный 48-TSOP I

ИС Флэш 256 Мбит SPI 8WPDFN.Флэш - NOR ИС памяти 256 Мбит SPI - Quad I/O 133 МГц 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

IС флэш 4 гигабит параллельный 48TSOP I.FLASH - NAND память ИС 4 гигабит параллельный 48-TSOP I

ИС DRAM 4 Гбит параллельный 1.2 ГГц 96-FBGA.SDRAM - DDR4 память ИС 4 Гбит параллельный 1.2 ГГц 96-FBGA (9x14)

ИС ДРАМ 8 Гбит параллельный 96FBGA.СДРАМ - DDR3L ИС памяти 8 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

ИС DRAM 8 гигабит параллельный 96FBGA.SDRAM - DDR3L память ИС 8 гигабит параллельный 933 МГц 20 нс 96-FBGA (8x14)

Микросхема памяти 10.5mm mm

ИС DRAM 4 Гбит параллельный 78FBGA.SDRAM - DDR3L ИС памяти 4 Гбит параллельный 933 МГц 20 нс 78-FBGA (8x10.5)

ИС DRAM 2Gbit параллельный 84FBGA.SDRAM - DDR2 ИС памяти 2Gbit параллельный 400 МГц 400 пс 84-FBGA (9x12.5)

MT48H32M16LFB4-6 IT:C is a 512Mb Mobile LPSDR SDRAM memory chip manufactured by Micron Technology. Featuring a 32M × 16 organization, x16 data bus, 166MHz-class clock speed, 5ns access time, compact 54-VFBGA 8mm × 8mm package, and -40°C to +85°C industrial temperature range, it is suitable for embedded computing platforms, industrial control systems, portable devices, networking equipment, medical instruments, and communication modules. The MT48H32M16LFB4-6 IT:C provides reliable low-power Micron mobile SDRAM performance for mature embedded and long-life electronic designs.

MT48LC16M16A2P-6A IT:G — это микросхема оперативной памяти SDR SDRAM объёмом 256 Мбит, выпускаемая компанией Micron Technology. Микросхема имеет организацию 16 М × 16, 16-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP с 54 выводами и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и приборов. MT48LC16M16A2P-6A IT:G обеспечивает надёжную производительность SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

MT48LC4M32B2P-6A IT:L — это 128 Мбит SDR SDRAM-микросхема памяти, производимая компанией Micron Technology. Данная микросхема имеет организацию 4 М × 32, 32-битную шину данных, тактовую частоту класса 166/167 МГц, работает при напряжении 3,3 В, выполнена в корпусе TSOP-86 и рассчитана на промышленный температурный диапазон от −40 °C до +85 °C. Она подходит для устаревших встраиваемых вычислительных платформ, промышленных систем управления, сетевого оборудования, потребительской электроники, медицинских устройств и измерительных приборов. Микросхема MT48LC4M32B2P-6A IT:L обеспечивает надёжную работу SDRAM от Micron в зрелых проектах памяти с питанием 3,3 В и в электронных системах с длительным сроком службы.

Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия

MTFC2GMDEA-0M WT A — это встроенное устройство флеш-памяти eMMC объёмом 2 ГБ, произведенное компанией Micron Technology. Устройство обладает ёмкостью NAND Flash 16 Гбит, организацией памяти 2 Г × 8, стандартным интерфейсом MMC/eMMC, рабочим напряжением питания от 2,7 В до 3,6 В и компактным корпусом WFBGA с 153 выводами размером 11,5 мм × 13 мм. Оно подходит для встраиваемых вычислительных платформ, промышленных терминалов, сетевого оборудования, потребительской электроники, шлюзов Интернета вещей (IoT), медицинских приборов и интеллектуальных устройств. MTFC2GMDEA-0M WT A обеспечивает надёжное управляемое хранение данных на основе NAND-памяти, упрощает интеграцию в систему и гарантирует стабильную производительность встраиваемой памяти Micron.

4 ГБ eMMC v5.0, -40C до +85C, x8.FLASH - NAND память ИС 32 Гбит eMMC 153-VFBGA (11.5x13)

ИС FLASH 64GBIT MMC 153VFBGA.FLASH - NAND Память ИС 64Gbit MMC 153-VFBGA (11.5x13)

ИС ПАМЯТИ

ИС FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN.FLASH - NOR Память ИС 128Mbit SPI - Quad I/O 133 MHz 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

DRAM DDR4, 16 ГБ, 1 Гбит × 16, корпус FBGA, IT-класс ИС DRAM, 16 Гбит, параллельный интерфейс, корпус 96FBGA

Твердотельные накопители — SSD 7450, 4 ТБ, форм-фактор E1.S, 32 × 111 × 5,9 мм

ИС ОЗУ DRAM, 8 Гбит, параллельный интерфейс, 78-выводная FBGA. ОЗУ SDRAM — DDR4, 8 Гбит, параллельный интерфейс, 1,6 ГГц, 78-выводная FBGA (7,5 × 11 мм)

SDRAM — мобильная микросхема памяти LPDDR4X, 32 Гбит, параллельный интерфейс, 2,133 ГГц, время задержки 3,5 нс, корпус 200-TFBGA (10×14,5 мм)

Автомобильный, AEC-Q100 Микросхема памяти Автомобильный, AEC-Q100 Серия

ИС памяти

Память ИС

DDR5 ОЗУ, 1GX16, CMOS, PBGA102,

ИС FLASH 2 Гбит SPI 24TPBGA.FLASH - NOR ИС памяти 2 Гбит SPI - Quad I/O 133 МГц 24-T-PBGA (6x8)

StrataFlash™ Микросхема памяти StrataFlash™ Серия 48F4400P0