Инструменты разработки ИС памяти

NT5CC64M16GP-DI — это микросхема оперативной памяти SDRAM DDR3L объёмом 1 Гбит от компании Nanya Technology, организованная по схеме 64 М × 16. Поддерживает максимальную скорость передачи данных до 1600 Мбит/с, работает от источника питания DDR3L напряжением 1,35 В и выпускается в компактном корпусе BGA/VFBGA с 96 шариковыми выводами. При тактовой частоте 800 МГц, 16-битной шине данных, архитектуре с 8 банками и рабочем температурном диапазоне для коммерческого применения от 0 °C до +95 °C данная микросхема подходит для использования в встраиваемых системах, сетевом оборудовании, промышленных платах управления, шлюзах Интернета вещей, потребительской электронике, системах обработки видео и компактных вычислительных платформах, требующих высокоскоростной внешней системной памяти.

DDR DRAM, 128MX16, 0.225нс, CMOS, PBGA96, VFBGA-96

DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, TFBGA-96

Мобильный LPDDR3 16Gb 512Mx32 1.2V

Memory (ICs) ROHS

Memory (ICs) ROHS

Memory (ICs) ROHS

Memory (ICs) ROHS

FBGA-96 Memory (ICs) ROHS

TFBGA-96 Memory (ICs) ROHS

ДДР ДРАМ, 128MX16, КМОП, ПБГА96, ТФБГА-96

DDR DRAM, 32MX16, 0.4нс, CMOS, PBGA84, VFBGA-84

DDR DRAM, 128MX8, 0.4нс, CMOS, PBGA60, 8 X 10 мм, 0.80 мм шаг, без галогенов и соответствует RoHS, TFBGA-60

DDR3 1ГБ 64MX16 800МГц BGA96

ДДР ДРАМ, 256MX16, КМОП, ПБГА96, ТФБГА-96

Описание: DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, VFBGA-96

DDR DRAM, 128MX16, 0.225 нс, CMOS, PBGA96, TFBGA-96

DDR3 4 ГБ 512MX8 933 МГц BGA78

1.5 V V ИС памяти 13 mm mm

1.35 В В 532 Микросхема памяти 532 Серия 13 мм мм

TFBGA,

Память ИС

S Память ИС S Серия 13 мм мм