SAMSUNG

K4A8G085WC-BCTD — это 8 Гбит ИС оперативной памяти DDR4 SDRAM от компании Samsung, организованная как 1 Г × 8 и поставляемая в корпусе FBGA на 78 шариков. Благодаря производительности класса DDR4-2666 и работе при напряжении 1,2 В она подходит для модулей оперативной памяти ПК, ноутбуков, промышленных компьютеров, сетевого оборудования, серверов, встраиваемых систем и других высокоскоростных применений оперативной памяти.

K4FBE3D4HB-KHCL02V — это мобильный DRAM-чип LPDDR4 компании Samsung объёмом 32 Гбит, организованный как 1 Г × 32 и поставляемый в компактном корпусе FBGA с 200 шариками. Поддерживая максимальную скорость передачи данных до 4266 Мбит/с и работу в энергосберегающем режиме LPDDR4, данный чип подходит для мобильных устройств, встраиваемых вычислительных платформ, автомобильных информационно-развлекательных систем, промышленных граничных систем, устройств искусственного интеллекта и интернета вещей (AIoT), сетевого оборудования, систем обработки видео, а также высокопроизводительных решений на основе SoC, требующих внешней памяти с высокой пропускной способностью.

KLM8G1GEUF-B04Q057 — это встроенное устройство флэш-памяти eMMC 5.1 объёмом 8 ГБ от компании Samsung, относящееся к семейству KLM8G1GEUF-B04Q. Оно объединяет память NAND Flash и контроллер eMMC в компактном корпусе BGA, поддерживает высокоскоростной режим работы HS400, интерфейс с двойным напряжением (1,8 В / 3,3 В) и широкий рабочий температурный диапазон от −40 °C до +105 °C. Устройство подходит для встроенных систем Linux, мобильных устройств, промышленных терминалов управления, автомобильных информационно-развлекательных систем, шлюзов Интернета вещей (IoT), умных дисплеев, потребительской электроники, телекоммуникационного оборудования и платформ на основе SoC, где требуется надёжная, припаянная к плате энергонезависимая память. Флэш-память относится к более широкой категории компонентов памяти. Компоненты памяти играют ключевую роль в электронике и необходимы для обработки данных в компьютерах. Они могут быть как энергозависимыми, так и энергонезависимыми — в зависимости от требуемой функции. Подробнее о компонентах памяти см. на нашей странице категории «Память».

LPDDR4 16 Гбит x32 3733 Mbps 1.1 В.Память IC 16 Гбит Параллельный 1866 MHz

KHBB84A03B-MC1J — это 24 ГБ устройства высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря широкому интерфейсу HBM, передовой многоуровневой архитектуре DRAM и высокоскоростным характеристикам HBM3E оно предназначено для ускорителей ИИ, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения, передовых специализированных интегральных схем вычислений и облачных платформ ускорения. KHBB84A03B-MC1J обеспечивает высокую пропускную способность памяти, компактную интеграцию и надежные технологии HBM компании Samsung для аппаратного обеспечения следующего поколения в области искусственного интеллекта и центров обработки данных.

KHBBC4B03C-MC1K — это 36 ГБ устройство высокопроизводительной памяти HBM3E, произведенное компанией Samsung. Благодаря скорости передачи данных 9,2 Гбит/с, высокой ёмкости и многоуровневой архитектуре DRAM, а также современному интерфейсу HBM оно предназначено для ускорителей искусственного интеллекта, графических процессоров центров обработки данных, систем высокопроизводительных вычислений, серверов машинного обучения и специализированных интегральных схем (ASIC) для сложных вычислений. Модель KHBBC4B03C-MC1K обеспечивает исключительно высокую пропускную способность, компактную интеграцию и надёжную производительность памяти HBM3E от Samsung для платформ искусственного интеллекта и центров обработки данных следующего поколения.

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. Samsung DDR4 обеспечивает максимальную скорость с лучшей пропускной способностью и надежностью, используя меньше энергии.

KLMCG1RCTE-B041 is a 64GB eMMC 5.1 embedded flash memory device manufactured by Samsung. Integrating NAND Flash memory and a dedicated eMMC controller in a compact 153-ball package, it provides reliable managed storage for embedded computing platforms, industrial terminals, smart devices, consumer electronics, IoT gateways, and mobile systems. The KLMCG1RCTE-B041 simplifies system storage design by providing built-in flash management, broad eMMC interface compatibility, compact PCB integration, and dependable Samsung embedded memory performance.

Чип DRAM DDR3L SDRAM 2 Гбит 128Mx16 1.5 В F-Die 96-контактный FBGA.

K4U6E3S4AA-MGCL is a 16Gb LPDDR4X SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring x32 organization, 4266Mbps data rate, low-power LPDDR4X architecture, and a compact 200-ball FBGA package, it is suitable for smartphones, tablets, embedded computing platforms, AI edge devices, smart home products, IoT gateways, and consumer electronics. The K4U6E3S4AA-MGCL delivers high bandwidth, efficient power consumption, and reliable Samsung mobile DRAM performance for compact modern electronic systems.

K4B2G1646F-BCNB is a 2Gb DDR3 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 128M × 16 organization, DDR3-2133 performance, 1.5V operating voltage, and a compact 96-ball FBGA package, it is widely used in embedded computing platforms, industrial automation systems, networking equipment, medical devices, and consumer electronics. The K4B2G1646F-BCNB delivers reliable high-speed DDR3 memory performance, low system complexity, and excellent compatibility for a wide range of embedded and industrial applications.

K4F6E3S4HM-THCL — это 16 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема, произведенная компанией Samsung. Благодаря организации памяти 512 М × 32, производительности до 4266 Мбит/с, энергоэффективной архитектуре LPDDR4 и компактному корпусу FBGA с 200 шариками данная микросхема предназначена для применения в автомобильной электронике, устройствах искусственного интеллекта на периферии, промышленных встраиваемых системах, сетевом оборудовании, интеллектуальных камерах и передовых мобильных платформах. K4F6E3S4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность, низкое энергопотребление и надежную работу в приложениях следующего поколения для встраиваемых и интеллектуальных вычислительных систем.

K4A4G085WF-BCTD — это 4 Гб чип памяти DDR4 SDRAM, производимый компанией Samsung. Благодаря организации 512 М × 8, скорости передачи данных 2666 Мбит/с, низкому рабочему напряжению 1,2 В и компактному корпусу FBGA с 78 шариками он подходит для модулей памяти DDR4, настольных компьютеров, ноутбуков, встраиваемых систем, сетевого оборудования, промышленных устройств управления и потребительской электроники. K4A4G085WF-BCTD обеспечивает надёжную производительность DDR4 от Samsung для компактных и экономически эффективных решений в области проектирования памяти.

K3LK7K70BM-BGCP — это 64 Гб ОЗУ типа LPDDR5 SDRAM, произведенное компанией Samsung. Благодаря производительности LPDDR5-6400, организации x64 и компактному корпусу FBGA-496 данное устройство обеспечивает высокую пропускную способность и низкое энергопотребление для смартфонов, планшетов, устройств искусственного интеллекта на периферии сети, автомобильной электроники, встраиваемых вычислительных систем и мультимедийных платформ. Модель K3LK7K70BM-BGCP подходит для современных высокопроизводительных решений, требующих быстрой обработки данных, компактной интеграции и надежной технологии оперативной памяти LPDDR5 от Samsung.

K4AAG085WA-BIWE is a 16Gb DDR4 SDRAM memory chip manufactured by Samsung. Featuring a 2G × 8 organization, 1.2V low-power operation, and compact FBGA-78 package, it is suitable for DDR4 memory modules, servers, desktop computers, laptops, networking equipment, industrial computers, and embedded systems. The K4AAG085WA-BIWE provides high-density DRAM performance, efficient power consumption, and reliable Samsung memory technology for modern computing platforms.

K4FBE3D4HM-THCL — это 32 Гб LPDDR4 SDRAM-микросхема памяти, произведенная компанией Samsung. Благодаря двухканальной архитектуре x16, скорости передачи данных 4266 Мбит/с, корпусу FBGA с 200 шариковыми выводами и расширенному температурному диапазону эксплуатации от −40 °C до +105 °C данное устройство предназначено для автомобильных систем мультимедиа, модулей систем адаптивного круиз-контроля и предупреждения столкновений (ADAS), встраиваемых вычислительных платформ, устройств компьютерного зрения на основе ИИ, промышленных терминалов и интеллектуальных мобильных электронных устройств. K4FBE3D4HM-THCL обеспечивает высокую пропускную способность памяти, низкое энергопотребление, компактную интеграцию и надёжную производительность для современных автомобильных и встраиваемых приложений.

W25Q16JVSSIQ — это последовательная NOR-Flash-память Winbond объёмом 16 Мбит (2 МБ) из семейства W25Q16JV SpiFlash®. Она поддерживает стандартный SPI, двухканальный SPI и четырёхканальный SPI с частотой тактового сигнала до 133 МГц, работает при напряжении от 2,7 В до 3,6 В и выпускается в корпусе SOIC с 8 выводами. Данная микросхема идеально подходит для хранения прошивок микроконтроллеров, BIOS и загрузочного кода, а также для применения в встраиваемых системах, модулях Интернета вещей (IoT), сетевых устройствах, промышленных платах управления, потребительской электронике и в качестве памяти конфигурации.

Samsung KLM8G1GETF-B041: MLC NAND Flash Serial e-MMC 3V/3.3V 64G-bit 64G/16G/8G x 1/4-bit/8-bit 153-Pin FBGA. С превосходной энергоэффективностью и заметно высокой скоростью, eMMC Samsung является окончательным выбором для флэш-памяти при разработке тонких мобильных дизайнов.

K4ZAF325BC-SC20 — это высокопроизводительный графический чип памяти GDDR6 (VRAM), произведённый компанией Samsung. Этот конкретный компонент привлёк значительное внимание в сообществе энтузиастов оборудования, поскольку он используется в консоли Sony PlayStation 5 Pro (PS5 Pro) и некоторых высокопроизводительных видеокартах (например, Gigabyte GeForce RTX 4060 Ti AERO OC объёмом 16 ГБ).

Скорость нового уровня для мобильных устройств нового поколения

Высокопроизводительная память обеспечивает более быстрые и мощные решения. DDR4 от Samsung обеспечивает максимальную скорость, повышенную пропускную способность и надежность при меньшем энергопотреблении. DDR4, 8 Гб × 8, 1,2 В, 1,333 ГГц, диапазон рабочих температур от 0 °C до 85 °C, корпус FBGA-78

The Samsung KLMAG1JETD-B041 is a 16GB eMMC 5.1 NAND flash memory chip in a 153-ball FBGA package, commonly used for high-speed, reliable data storage in embedded systems, mobile devices, and IoT applications. It operates at 1.8V/3V with a 200MHz max frequency, supporting high-speed data transfer.

DDR5 ushers indata-centric innovation

DDR5 ushers indata-centric innovation

Versatile LPDRAM for mobile solutions

Definitive performance for mobile storage

Broaden the horizons of your mobile devices

Next-level speed for next-gen mobile

Versatile LPDRAM for mobile solutions

Exceptional speed, high reliability, low energy consumption

Exceptional speed, high reliability, low energy consumption

DRAM чип DDR3 SDRAM 4 Гбит 256Mx16 1.5 В 96-контактный FBGA

SMD eMMC ROHS

FBGA-180 Memory (ICs) ROHS

Exceptional speed, high reliability, low energy consumption

Versatile LPDRAM for mobile solutions

Oscillators ROHS

LED WHITE 3500K 80CRI 4SMD

LED.LED Lighting -

LED.LED Lighting -

LED.LED Lighting -

LED.LED Lighting -

LED.LED Lighting -

LED.LED Lighting -