Name: K4A8G085WC-BIWE
Brand: SAMSUNG
SKU: K4A8G085WC-BIWE

Номер детали

Тип

Параметр

Density

8Gb

Lifecycle Status

Production

Mount

Surface Mount

Case/Package

FBGA

Number of Pins

Frequency

1.333GHz

Min Supply Voltage

1.14V

Max Supply Voltage

1.26V

Min Operating Temperature

0°C

Max Operating Temperature

85°C

Operating Supply Voltage

1.2V

Sync/Async

Synchronous

Voltage

1.2V

Модуль памяти Samsung DDR4 объемом 8 Гб, x8, предназначен для обеспечения исключительной производительности и энергоэффективности в современных вычислительных приложениях. Благодаря синхронной скорости передачи данных 1,333 ГГц этот модуль SDRAM идеально подходит для высокоскоростной обработки данных и многозадачности. Установленный в компактном корпусе FBGA-78, он оптимизирован для технологии поверхностного монтажа, что делает его пригодным для использования в различных электронных устройствах. Работая в температурном диапазоне от 0 °C до 85 °C, данный модуль памяти гарантирует надежную работу в разнообразных условиях.

High Density 8Gb Memory Capacity
Synchronous Operation for Enhanced Performance
Operating Voltage of 1.2V for Energy Efficiency
Data Bus Width of 8b for Fast Data Transfer
Access Time of 170ps for Quick Response

The DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gb 1G x 8 1.2V 78-pin FBGA is used for high-performance memory applications, supporting devices that require efficient data transfer with its 1.333GHz frequency and low operating voltage of 1.2V. Ideal for modern computing systems, this memory chip enhances overall system responsiveness and is suitable for various applications in PCs, laptops, and servers.