BGA Memory (ICs) ROHS
FBGA-221 Memory (ICs) ROHS
FBGA-254 Memory (ICs) ROHS
TSOPI-48 Memory (ICs) ROHS
1Gbit 1.7V~1.9V 533MHz SDRAM DDR2 FBGA-84 Memory (ICs) ROHS
1.7V~1.9V 1.066GHz SDRAM DDR2 FBGA-60 Memory (ICs) ROHS
3V~3.6V TSOP-54-10.2mm Memory (ICs) RoHS
BGA-200 Memory (ICs) ROHS
Memory (ICs) ROHS
FBGA-78 Memory (ICs) ROHS
FBGA-556 Memory (ICs) ROHS
FBGA-376 Memory (ICs) ROHS
96 выводов память ИС
Samsung KMQE10013M-B318: eMCP eMMC 16GB + LPDDR3 16Gb MV1616, EMCP Memory Chip KMQE60013M-B318 -16+16 EMCP D3 LPDDR3-1866MHz Memory Chip Storage
221 вывод память ИС
32 вывод память ИС
Память ИС
Микросхема памяти
ИС памяти
Поверхностный монтаж 48 выводов Интегральная схема памяти 1 Гб кб 18.4 мм мм 35 мА мА 8 б б
48 вывод память ИС 18.4 мм мм
Поверхностный монтаж Микросхема памяти 1 Gb kb 8 b b
165 выводов память ИС
165 вывод Микросхема памяти
165-контактная интегральная схема памяти
165 пин памяти IC
165 вывод память ИС
165 вывод интегральная схема памяти
165 выводов ИС памяти
165 выводов Интегральная схема памяти
165 выводов Микросхема памяти
165-выводная микросхема памяти
100-контактная ИС памяти
