Инструменты разработки ИС памяти

1.5 В В 96 выводов ИС памяти 13 мм мм

Микросхема памяти

1.8 V V 84 вывод Микросхема памяти 12.5 mm mm

DDR DRAM, 512MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96

3/3.3 V V Память IC

Описание: Flash, 32GX8, PBGA153, FBGA-153

H5AN4G6NBJR-UHI — это 4 Гб микросхема оперативной памяти DDR4 SDRAM, произведенная компанией SK hynix. Микросхема имеет организацию 256 М × 16, соответствует скоростному классу DDR4-2400, работает при низком напряжении 1,2 В и выполнена в компактном корпусе FBGA-96. Она предназначена для систем промышленного управления, встраиваемых вычислительных платформ, сетевого оборудования, потребительской электроники и электронных устройств с длительным сроком службы. H5AN4G6NBJR-UHI обеспечивает надёжную производительность памяти, эффективное энергопотребление и стабильную пропускную способность DDR4 для современных встраиваемых и промышленных применений.

DDR DRAM, 256MX16, КМОП, ПБГА96, ФБГА-96

4Gbit 1.425V~1.575V 1.066GHz SDRAM DDR3 FBGA-96 Memory (ICs) ROHS

Микросхема памяти

микросхема памяти

PTFT Микросхема памяти PTFT Серия

Память ИС

MediaSensor™ Память ИС MediaSensor™ Серия

ИС памяти

Микросхема памяти

Микросхема памяти

16Гб CMOS Двойная скорость передачи данных IV (DDR4) Синхронная DRAM

Микросхема памяти

Память ИС

Описание: DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96

Микросхема памяти

Память ИС