BC857AT-7 [DIODES]

Name: BC857AT-7
Brand: DIODES
SKU: BC857AT-7

Номер детали:

BC857AT-7

Категория:

Транзисторы

Производитель:

DIODES

Описание:

PNP -55°C~150°C TJ 15nA ICBO 1 элемент 3 вывода Кремниевый PNP SOT-523 Лента и катушка (TR) Поверхностный монтаж

Упаковка:

-

Статус RoHS:

Даташит:

Статус производства:

Статус наличия:

Спецификация

Тип

Параметр

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SOT-523

Number of Pins

Weight

2.012816mg

Transistor Element Material

SILICON

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2007

JESD-609 Code

Part Status

Discontinued

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn85Pb15)

Voltage - Rated DC

-50V

Max Power Dissipation

150mW

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

235

Reach Compliance Code

not_compliant

Current Rating

-100mA

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

BC857AT

Pin Count

Qualification Status

Not Qualified

Number of Elements

Element Configuration

Single

Power - Max

150mW

Gain Bandwidth Product

100MHz

Polarity/Channel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Collector Emitter Voltage (VCEO)

650mV

Max Collector Current

100mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA 5V

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA ICBO

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Collector Emitter Breakdown Voltage

45V

Transition Frequency

100MHz

Max Breakdown Voltage

45V

Collector Base Voltage (VCBO)

50V

Emitter Base Voltage (VEBO)

hFE Min

125

Length

1.6mm

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Contains Lead

Детали продукта

BC857AT-7 Overview

Поскольку коэффициент усиления постоянного тока является отношением коллекторного тока к базовому току, для этого устройства коэффициент усиления постоянного тока составляет 125 @ 2mA 5V. В результате насыщения vce, Ic достигает своего максимального значения (насыщенного), и насыщение vce (макс.) составляет 650mV @ 5mA, 100mA. Одиночный транзистор BJT может достичь высокого уровня эффективности, поддерживая напряжение на эмиттере базы на уровне 5V. Его номинальный ток составляет -100mA, что означает, что он может выдерживать максимальный ток в течение неопределенного периода времени без значительного ухудшения. Части этой детали имеют переходные частоты 100MHz. Одиночный транзистор BJT может выдерживать входное напряжение пробоя 45V. При максимальной работе коллекторный ток может быть как низким, как 100mA.

BC857AT-7 Features

коэффициент усиления постоянного тока для этого устройства составляет 125 @ 2mA 5V
насыщение vce (макс.) составляет 650mV @ 5mA, 100mA
напряжение на эмиттере базы поддерживается на уровне 5V
номинальный ток этого устройства составляет -100mA
переходная частота 100MHz

BC857AT-7 Applications

Существует множество применений одиночных транзисторов BJT от Diodes Incorporated
BC857AT-7.

Инвертор
Интерфейс
Драйвер
Заглушение

Ключевые особенности

Ключевые особенности недоступны

Сценарии применения

Сценарии применения недоступны

Документы

Datasheets:

BC857AT, BT, CT

PCN Design/Specification:

Green Encapsulate Change 09/July/2007

Запрос

Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

Доставка и гарантия

Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

Особенности

30-дневная гарантия
Быстрая доставка
Беспроблемный возврат
Безопасный способ оплаты

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.