
BQ27441DRZR-G1A
Texas Instruments

0912GN-250V является внутренне согласованным, ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, класса AB GaN на SiC HEMT транзистор, способен обеспечивать усиление более 18 дБ, 250 Вт импульсной мощности выходного РЧ сигнала при ширине импульса 128 мкс, коэффициенте заполнения 10% в диапазоне от 960 до 1215 МГц. Транзистор имеет внутреннее предварительное согласование для оптимальной производительности. Этот транзистор может быть использован для широкополосных приложений авионики передачи данных. Он использует золотую металлургию и эвтектическое крепление для обеспечения высочайшей надежности и превосходной прочности.
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Документы недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

BQ27441DRZR-G1A
Texas Instruments

K4RAH165VB-BCWM
SAMSUNG

TMS5700432APZQQ1
Texas Instruments

TMS320F28035PAGS
Texas Instruments

FS32K144HAT0MLLT
NXP

TMS320F28379DZWTT
Texas Instruments

ISO7721DR
Texas Instruments

K4AAG165WA-BCWE
SAMSUNG

MT48LC4M32B2P-6A IT:L
Micron

ATSAME70Q20B-AN
Microchip
Нет недавно просмотренных товаров