1214GN-1200VG является внутренне согласованным, ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, класса AB GaN на SiC HEMT транзистором, способен обеспечивать усиление более 16.3 дБ, КПД стока 53%, выходную мощность импульсного РЧ 1200 Вт при ширине импульса 300 мкс, коэффициенте заполнения 10% в диапазоне 1200-1400 МГц. Транзистор имеет внутреннее предварительное согласование для оптимальной производительности. Этот транзистор идеально подходит для использования в выходных каскадах импульсных первичных радаров L-диапазона. Он использует золотую металлизацию и эвтектическое присоединение для обеспечения высочайшей надежности и превосходной прочности.