1N5770 [Microchip]

Эти низкоемкостные диодные массивы с общим анодом представляют собой множество дискретных изолированных переходов, изготовленных планарным процессом и смонтированных в 10-выводном корпусе для использования в качестве управляющих диодов, защищающих до восьми портов ввода-вывода от ESD, EFT или перенапряжения путем их направления на землю (см. рис. 1). Это схемное применение дополнительно дополняется диодом 1N5768 (отдельный datasheet), который имеет общий катод. Внешний TVS-диод может быть добавлен между положительной линией питания и землей для предотвращения перенапряжения на шине питания. Они также могут использоваться в приложениях быстрого переключения драйверов ядра. Это включает компьютеры и периферийное оборудование, такое как магнитные сердечники, тонкопленочные памяти, памяти с напыленной проволокой и т.д., а также приложения декодирования или кодирования. Эти массивы предлагают многие преимущества интегральных схем, таких как высокая плотность упаковки и повышенная надежность. Это результат меньшего количества операций выбора и размещения, меньшей площади, меньшего веса и устранения различных дискретных корпусов, которые могут быть не так удобны при монтаже на печатной плате.