1N6169US/TR [Microchip]

Эта серия промышленно признанных бездефектных герметически密封енных двунаправленных транзисторов подавления перенапряжения (TVS) соответствует военным требованиям MIL-PRF-19500/516 и идеально подходит для высоконадежных применений, где отказ не допускается. Они обеспечивают выбор рабочего пикового напряжения «отсечки» от 5.2 до 152 В с номинальной мощностью 1500 Вт для импульса 10/1000 мс. Они очень надежны в конструкции из твердого стекла и используют внутренние металлургические связи категории 1 для высокой надежности. Эти устройства доступны как в версии без суффикса, так и в версии «A» с различными допусками напряжения, как описано в разделе номенклатуры. Эти устройства также доступны в конфигурации корпуса MELF для поверхностного монтажа.

• Высокий импульсный ток и пиковая импульсная мощность обеспечивают защиту от перенапряжения для чувствительных схем
• Трехслойная пассивация
• Внутренние металлургические связи «Категории 1»
• Бездефектный герметически密封енный стеклянный корпус
• Военные квалификации JAN, JANTX и JANTXV доступны согласно MIL-PRF-19500/516
• JANS доступны для 1N6103 до 1N6118A согласно MIL-PRF-19500/516, а также дополнительные варианты скрининга в соответствии с MIL-PRF-19500 для всех других продуктов этой серии
• Доступны версии, соответствующие RoHS
• Чрезвычайно надежная конструкция
• Рабочее пиковое напряжение отсечки (VWM) от 5.7 до 152 В
• Пиковая импульсная мощность 500 Вт
• Защита от ESD и EFT согласно IEC 61000-4-2 и IEC 61000-4-4
• Вторичная защита от молнии согласно IEC 61000-4-5
• Не чувствителен к ESD согласно методу 1020 MIL-STD-750
• Излучательно устойчив по природе, как описано в MicroNote 050: Radiation Hardened Performance of Discrete Semiconductor Products