APT20F50B [Microchip]

Обзор APT20F50B

Когда напряжение превышает напряжение пробоя MOSFET, происходит явление пробоя и протекает ток. Это называется ?Avalanche break down?, и энергия, приложенная к MOSFET, называется энергией лавины, а номинальная энергия лавины (Eas) составляет 405 мДж.Параметр входной емкости, CI, определяется как емкость между входными клеммами операционного усилителя с заземленным любым входом, а максимальная входная емкость этого устройства составляет 2950 пФ @ 25 В.Ток стока — это максимальный непрерывный ток, который устройство может проводить, а непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 20 А. Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, а время задержки выключения составляет 34 нс.IDM — это максимальный номинальный пиковый ток стока для силового MOSFET, а максимальный импульсный ток стока составляет 60 А.Время задержки включения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, а время задержки составляет 13 нс.Напряжение затвор-исток, VGS, транзистора FET — это напряжение, падающее на клеммах затвор-исток транзистора, и его напряжение может быть 30 В.Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить общее энергопотребление.

Особенности APT20F50B

номинальная энергия лавины (Eas) составляет 405 мДж
непрерывный ток стока (ID) 20 А
время задержки выключения составляет 34 нс
на основе его номинального пикового тока стока 60 А.

Применения APT20F50B

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от Microsemi Corporation
APT20F50B.

• LCD/LED телевизор
• Бытовая техника
• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• AC-DC источник питания
• Синхронная выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструмент