APT22F100J [Microchip]

Power MOS 8™ — это семейство высокоскоростных, высоковольтных (500-1200 В) N-канальных транзисторов питания с коммутационным режимом, обладающих более низкими характеристиками ЭМИ и более низкой стоимостью по сравнению с устройствами предыдущего поколения. Эти MOSFETs / FREDFETs были оптимизированы для жесткого и мягкого коммутации в высокочастотных, высоковольтных приложениях с номинальной мощностью выше 500 Вт.
Серия Power MOS 8™ является результатом обширных исследований в области тихого переключения. Значения входной и обратной передаточной емкости, а также их соотношение были установлены в определенные значения для достижения тихого переключения с минимальными переключательными потерями. Устройства серии Power MOS 8™ по своей природе обеспечивают тихое переключение, стабильны при параллельном подключении, очень эффективны и имеют более низкую стоимость по сравнению с предыдущими моделями
поколения.

Power MOS 7® — это семейство низкопотерных, высоковольтных, N-канальных инверсных силовых МОП-транзисторов. И проводимые, и переключательные потери решаются с помощью Power MOS 7® за счет значительного снижения RDS(ON)и Qg. Power MOS 7® сочетает более низкие проводимые и переключательные потери с исключительно высокими скоростями переключения.

Power MOS V® всё ещё может обеспечивать наилучшее соотношение между производительностью и стоимостью в некоторых приложениях. Power MOS V® использует структуру ворот с низким сопротивлением из алюминиевого металла. Это позволяет обеспечивать более быстрое распространение сигнала ворот по сравнению с традиционными структурами ворот из поликремния. Результатом являются чрезвычайно низкие внутренние эквивалентные сопротивления ворот чипа (EGR), которые достигают порядка
на порядок ниже, чем у конкурентных устройств, что позволяет обеспечить равномерную высокоскоростную коммутацию по всему чипу.

Опции корпусного диода
МОС-транзисторы и FREDFET доступны во всех номинальных напряжениях. FREDFET — это МОС-транзистор с более быстрым восстановительным внутренним диодом. Это приводит к повышению надежности в ZVS-схемах из-за более короткого времени жизни неосновных носителей и увеличенной стойкости к переключениям dv/dt. Если быстрый восстановительный диод не требуется, доступны версии МОС-транзисторов.