Name: APT5010JVRU3
Brand: Microchip
SKU: APT5010JVRU3

Обзор APT5010JVRU3

Одиночный транзистор MOSFET называется "пробоем по лавине", и лавинная энергия применяется к MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет номинальную мощность 2500 мДж. При заземлении любого входа параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными клеммами операционного усилителя. Это устройство имеет максимальную входную емкость 7410 пФ при 25 В. Ток стока устройства — это его максимальный непрерывный ток, и это устройство имеет непрерывный ток стока (ID) 44 А. Время задержки выключения — это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства перед началом проводимости тока стока, и оно составляет 54 нс. Зарядка входной емкости занимает время перед началом проводимости тока стока, поэтому время задержки включения составляет 18 нс. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение, падающее на переходе затвор-источник транзистора FET, которое называется напряжением затвор-источника, VGS. Для поддержания нормальной работы напряжение пробоя DS должно быть выше 500 В. Необходимо, чтобы одиночный транзистор MOSFET имел напряжение сток-источник (Vdss) 500 В. Использование напряжения привода (10 В) снижает общее потребление мощности этого устройства.

Особенности APT5010JVRU3

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 2500 мДж
непрерывный ток стока (ID) 44 А
время задержки выключения составляет 54 нс
напряжение сток-источник 500 В (Vdss)