APT7F100B [Microchip]

Power MOS 8™ — это семейство высокоскоростных, высоковольтных (500-1200 В) N-канальных транзисторов переключающего режима питания с более низкими характеристиками ЭМИ и более низкой стоимостью по сравнению с предыдущими поколениями устройств. Эти MOSFETs / FREDFETs были оптимизированы для как жесткого, так и мягкого переключения в высокочастотных, высоковольтных приложениях с номинальной мощностью выше 500 Вт.
Серия Power MOS 8™ является результатом обширных исследований в области тихого переключения. Значения входной и обратной ёмкости передачи, а также их соотношение были установлены в определённые значения для достижения тихого переключения с минимальными переключательными потерями. Устройства серии Power MOS 8™ по своей природе обеспечивают тихое переключение, стабильны при параллельном подключении, очень эффективны и имеют более низкую стоимость по сравнению с предыдущими
поколения.

Power MOS 7® — это семейство низкопотерьных, высоковольтных, N-канальных инверсионных силовых МОП-транзисторов. И проводимые, и переключательные потери решаются с помощью Power MOS 7® за счет значительного снижения RDS(ON)и Qg. Power MOS 7® сочетает более низкие проводимые и переключательные потери наряду с исключительно высокими скоростями переключения.

Power MOS V® все еще может обеспечивать лучшее соотношение между производительностью и стоимостью в некоторых приложениях. Power MOS V® использует структуру ворот с низким сопротивлением из алюминиевого металла. Это позволяет обеспечивать более быстрое распространение сигнала ворот по сравнению с возможным в традиционных структурах ворот из поликремния. Результатом являются чрезвычайно низкие внутренние эквивалентные сопротивления ворот чипа (EGR), которые могут достигать порядка
величина ниже, чем у конкурентных устройств, что обеспечивает равномерную высокоскоростную коммутацию по всей микросхеме.

Опции тела диода
MOSFET и FREDFET доступны во всех номинальных напряжениях. FREDFET — это MOSFET с более быстрым восстановительным внутренним диодом. Это приводит к повышению надежности в цепях ZVS благодаря более короткому времени жизни неосновных носителей и увеличению стойкости к переключению dv/dt. Если быстрый восстановительный внутренний диод не требуется, доступны версии MOSFET.