APT8014JFLL [Microchip]

Power MOS 8™ является семейством высокоскоростных, высоковольтных (500-1200 V) N-channel транзисторы импульсных источников питания с более низкими характеристиками ЭМИ и более низкой стоимостью по сравнению с устройствами предыдущего поколения. Эти MOSFETs / FREDFETs были оптимизировано для жесткого и мягкого переключения в высокой частоте, высоком напряжении приложения с рейтингом выше 500 Вт.
Серия Power MOS 8™ является результатом обширных исследований в области тихого переключения. Значения входной и обратной передаточной емкости а также их соотношение были заданы при определенных значениях для достижения тихого переключения с минимальными переключательными потерями. Те Power MOS 8™ серия устройств изначально тихое переключение, стабильный когда подключены параллельно, очень эффективны, и имеют более низкую стоимость, чем предыдущие поколения.
Power MOS 7® является семейством низких потерь, высокого напряжения, N-канального усиления режим силовых МОП-транзисторов. Как потери проводимости, так и переключения устраняются с Power MOS 7® значительно снижая RDS(ON)и Qg. Power MOS 7® объединяет сниженные потери на проводимость и переключение вместе с исключительно быстрым переключением скорости.
Power MOS V® всё ещё может обеспечивать лучший компромисс между производительностью и стоимость в некоторых приложениях. Power MOS V® использует алюминий с низким сопротивлением металлическая затворная структура. Это позволяет более быстрое распространение сигнала затвора, чем есть возможно с обычными структурами поликремниевых ворот. Результат чрезвычайно низкие внутренние чипа эквивалентные сопротивления затвора (EGR) которые достигают порядка величина ниже чем у конкурентных устройств что позволяет равномерную высокую скорость переключение по всей микросхеме.
Опции корпусного диода
МОСФЕТы и ФРЕДФЕТы доступны во всех номиналах напряжения. ФРЕДФЕТ это МОСФЕТ с более быстрым восстановлением встроенного диода. Это приводит к улучшенному надежность в схемах ZVS из-за более короткого времени жизни неосновных носителей и повышенная прочность коммутации dv/dt. Если быстродействующий встроенный диод не нужны, MOSFET версии доступны.