APT8024JFLL [Microchip]

Power MOS 8™ это семейство высокой скорости, высокого напряжения (500-1200 V) N-канальный транзисторы импульсных источников питания с более низкими характеристиками ЭМИ и более низкой стоимостью по сравнению с устройствами предыдущего поколения. Эти MOSFETs / FREDFETs были Оптимизирован для жёсткого и мягкого переключения при высокой частоте и высоком напряжении приложения мощностью свыше 500 Вт.
Серия Power MOS 8™ является результатом обширных исследований в области тихого переключения. Значения входной и обратной передаточной емкости а также их соотношение были заданы при определенных значениях чтобы достичь тихого переключения с минимальными переключательными потерями. Это Серия устройств Power MOS 8™ по своей природе тихое переключение, стабильный когда подключено параллельно, очень эффективно, и ниже стоимость, чем предыдущее поколения.
Power MOS 7® является семейством низкопотерных, высоковольтных, N-Channel enhancement режим питания MOSFET. Оба потери на проводимость и переключение обрабатываются с помощью Power MOS 7® путем значительного снижения RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® объединяет сниженные потери проводимости и переключения вместе с исключительно быстрым переключением скорости.
Power MOS V® все еще может обеспечивать лучший компромисс между производительностью и стоимость в некоторых приложениях. Power MOS V® использует алюминий с низким сопротивлением металлическая структура затвора. Это позволяет более быстрое распространение сигнала затвора, чем возможно с обычными поликремниевыми затворными структурами. Результат чрезвычайно низкие внутренние чиповые эквивалентные сопротивления затвора (EGR) которые до порядка величина ниже, чем у конкурентных устройств, что обеспечивает равномерную высокую скорость переключение по всему чипу.
Опции корпусного диода
МДП-транзисторы и FREDFET доступны во всех номиналах напряжения. FREDFET это MOSFET с более быстрым восстановлением внутреннего корпусного диода. Это приводит к улучшенному надежность в ZVS схемах из-за более короткого времени жизни неосновных носителей и повышенная стойкость к dv/dt при коммутации. Если быстрый восстановительный диод не нужны, MOSFET версии доступны.