APTM100DA18TG [Microchip]

APTM100DA18TG Обзор

В этом случае MOSFET подвержен лавинному пробою, приложенная энергия называется лавинной энергией, а номинальная лавинная энергия (Eas) для MOSFET составляет 3000 мДж. Как параметр входной емкости операционного усилителя, CI, определяется как емкость между входными клеммами, когда один вход заземлен, максимальная входная емкость этого устройства составляет 10400 пФ при 25 В. Это устройство проводит непрерывный стоковый ток (ID) 43 А, что является максимальным непрерывным током, который может проводить транзистор. Когда устройство выключено, время задержки выключения 155 нс возникает, поскольку входная емкость заряжается до начала проводимости стокового тока. Перед началом проводимости стокового тока время задержки включения устройства занимает время для зарядки его входной емкости. Это время задержки составляет 18 нс. Напряжение на затвор-истоковой клемме транзистора FET, называемое напряжением затвор-исток или VGS, может быть 30 В. Этот транзистор требует напряжения сток-исток (Vdss) 1000 В. Для уменьшения потребления мощности это устройство использует напряжение привода 10 В (10V).

APTM100DA18TG Особенности

номинальная лавинная энергия (Eas) составляет 3000 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 43 А
время задержки выключения составляет 155 нс
напряжение сток-исток 1000 В (Vdss)

APTM100DA18TG Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET APTM100DA18TG от Microsemi Corporation.

• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• Преобразователи DC/DC
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания Supples
• Синхронная выпрямление
• Цепь защиты аккумулятора
• Телеком 1 Источники питания сервера
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии твердого переключения PWM и резонансное переключение