Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    Служба поддержки:
    +86 755-2845-3125
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    [email protected]
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. APTM100DA40T1G MICROSEMI

    APTM100DA40T1G [MICROSEMI]

    APTM100DA40T1G
    APTM100DA40T1G

    Номер детали:

    APTM100DA40T1G

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    MICROSEMI

    Описание:

    МДП-транзистор (метал-оксид-полупроводник) N-канальный подложка 480m ? при 16A, 10V ±30V 6800пФ при 25V 260нКл при 10V 1000V SP1

    Статус RoHS:

    FAQ по продукту

    1. Доступен ли APTM100DA40T1G для RFQ?

    Да. APTM100DA40T1G от MICROSEMI доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для APTM100DA40T1G нет фиксированной цены?

    Цена на APTM100DA40T1G может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у APTM100DA40T1G?

    APTM100DA40T1G — это Транзисторы MICROSEMI с такими характеристиками: R ThJC Transistor: 0.35°C/W и I D Cont 25C: 20A. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по APTM100DA40T1G?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить APTM100DA40T1G?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для APTM100DA40T1G?

    Да. Если APTM100DA40T1G недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции MICROSEMI в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    APTM100DA40T1G

    Производитель:

    MICROSEMI

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Package
    SP1
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    B 25/85
    3952 K
    C Iss
    6800pF
    C Oss
    700pF
    C Rss
    92pF
    I AR
    16A
    I D Cont 25C
    20A
    I D Cont 80C
    15A
    I DM
    120A
    I DSS 125C
    500µA
    I DSS 25C
    100µA
    I F
    30A
    I GSS Max
    ±100 nA
    I RM 125C
    500µA
    I RM 25C
    100µA
    P D Max
    357W
    Q G
    260 nC
    Q Gd
    125 nC
    Q Gs
    46 nC
    Q Rr 125C
    1700 nC
    Q Rr 25C
    360 nC
    R 25
    50kΩ
    R DSon Max
    480mΩ
    R DSon Min
    400mΩ
    R ThJC Diode
    1.2°C/W
    R ThJC Transistor
    0.35°C/W
    T C Max
    100°C
    T C Min
    -40°C
    T D Off
    130 ns
    T D On
    39 ns
    T F
    33 ns
    T J
    -40°C ~ 150°C
    T R
    35 ns
    T Rr 125C
    380 ns
    T Rr 25C
    300 ns
    T Stg
    -40°C ~ 125°C
    Torque
    2.5 N.m ~ 4.7 N.m
    V DSS
    1000V
    V F 30A 125C
    1.8V
    V F 30A Max
    3.1V
    V F 30A Min
    2.6V
    V F 60A
    3.2V
    V GS
    ±30V
    V GS Th Max
    5V
    V GS Th Min
    3V
    V GS Th Typ
    4V
    V ISOL
    2500V
    V RRM
    1200V
    Wt
    80 g

    Детали продукта

    Обзор APTM100DA40T1G


    Максимальная входная емкость устройства составляет 6800 пФ при 25 В, но параметр входной емкости CI измеряется как емкость между входными клеммами устройства при заземлении одного из входов. Непрерывный ток стока для этого устройства составляет 20 А. Ток стока относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Обычно напряжение затвор-источник (VGS) транзистора FET — это напряжение между его клеммами затвора и источника, которое составляет 30 В. Для работы этого транзистора необходимо применить напряжение сток-источник 1000 В (Vdss). Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

    Особенности APTM100DA40T1G


    непрерывный ток стока (ID) 20 А
    напряжение сток-источник 1000 В (Vdss)


    Применения APTM100DA40T1G


    Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от Microsemi Corporation APTM100DA40T1G.


    • Электроинструменты
    • Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
    • Синхронная выпрямление
    • Схема защиты аккумулятора
    • Источники питания для серверов телекоммуникаций
    • Промышленные источники питания
    • Стадии PFC, стадии жесткого переключения PWM и резонансного переключения
    • Стадии PWM для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
    • Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
    • Преобразователи DC-DC

    Ключевые особенности

    • Power MOS 8™ MOSFETs, Low RDSon, Low input and Miller capacitance, Low gate charge, Avalanche energy rated, Very rugged, Very low stray inductance, Internal thermistor for temperature monitoring, High level of integration, Outstanding high-frequency performance, Direct heatsink mounting (isolated package), Low junction-to-case thermal resistance, Solderable power/signal terminals, Low profile, RoHS compliant

    Сценарии применения

    • AC and DC motor control
    • Switched Mode Power Supplies
    • Power Factor Correction

    Документы

    Datasheets:

    APTM100DA40T1G
    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты
    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • JANTX2N7228
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4733 G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5923C G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4748A G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5261B (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APT8M80K
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APTM50AM70FT1G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5254B (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N4712 (DO35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • CCR253
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    JANTXV2N3823

    JANTXV2N3823

    MICROSEMI

    2EZ120D5DO41E3

    2EZ120D5DO41E3

    MICROSEMI

    1N4753A G

    1N4753A G

    MICROSEMI

    1N5233A (DO-35)

    1N5233A (DO-35)

    MICROSEMI

    1N5932C G

    1N5932C G

    MICROSEMI

    APT94N65B2C3G

    APT94N65B2C3G

    MICROSEMI

    1N5916C G

    1N5916C G

    MICROSEMI

    APTC90H12T2G

    APTC90H12T2G

    MICROSEMI

    1N4748A G

    1N4748A G

    MICROSEMI

    1N5955D G

    1N5955D G

    MICROSEMI

    Diodes & Rectifiers(136426)Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)

    Нет недавно просмотренных товаров

    BEST SELL
    H9TQ64A8GTDCUR-KUM

    H9TQ64A8GTDCUR-KUM

    SK HYNIX

    BEST SELL
    UCC28070APW

    UCC28070APW

    Texas Instruments

    BEST SELL
    MT41K512M8DA-107 IT:P

    MT41K512M8DA-107 IT:P

    Micron

    BEST SELL
    BQ27441DRZR-G1AG4

    BQ27441DRZR-G1AG4

    Texas Instruments

    BEST SELL
    KHBB84A03B-MC1J

    KHBB84A03B-MC1J

    SAMSUNG

    BEST SELL
    MT41K512M16VRN-107 IT:P

    MT41K512M16VRN-107 IT:P

    Micron

    BEST SELL
    MT48LC16M16A2P-6A IT:G

    MT48LC16M16A2P-6A IT:G

    Micron

    BEST SELL
    GD32F407ZGT6

    GD32F407ZGT6

    GD

    BEST SELL
    FS32K118LFT0VLHT

    FS32K118LFT0VLHT

    NXP

    BEST SELL
    MT60B4G4HB-48B:A

    MT60B4G4HB-48B:A

    Micron