APTM100UM65SAG [Microchip]

APTM100UM65SAG Overview

В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к MOSFET, называется энергией лавины, а рейтинг энергии лавины составляет 3200 мДж.Максимальная входная емкость устройства составляет 28500 пФ @ 25 В, но параметр входной емкости, CI, измеряется как емкость между входными клеммами устройства с заземленным любым входом.Непрерывный ток стока для этого устройства составляет 145 А. Ток стока относится к способности устройства проводить непрерывный ток.Время задержки выключения устройства — это время, необходимое для зарядки его входной емкости перед началом проводимости тока стока, которое составляет 140 нс.Максимальный импульсный ток стока составляет 580 А, что также является его максимальным рейтингом пикового тока стока.Перед началом проводимости тока стока входная емкость устройства должна быть заряжена, поэтому время задержки составляет 18 нс.Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его клеммами затвор-исток, которое составляет 30 В.Для работы этого транзистора необходимо приложить напряжение сток-исток 1000 В (Vdss).Это устройство не использует напряжение привода (10 В) для снижения общего энергопотребления.

APTM100UM65SAG Features

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 3200 мДж
непрерывный ток стока (ID) 145 А
время задержки выключения 140 нс
на основе его номинального пикового тока стока 580 А.
напряжение сток-исток 1000 В (Vdss)

APTM100UM65SAG Applications

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET от Microsemi Corporation
APTM100UM65SAG.

• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление
• Схема защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии твердого переключения PWM и резонансное переключение
• Стадии PWM для, например, PC Silverbox, адаптера, LCD и PDP TV,
• Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
• DC-DC преобразователи