APTM10DAM02G [Microchip]

APTM10DAM02G Обзор

Этот тип пробоя известен как "лавинный пробой", и энергия, приложенная к MOSFET, называется энергией лавины, и рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 3000 мДж. Максимальная входная емкость этого устройства составляет 40000 пФ @ 25 В, поскольку входная емкость операционного усилителя определяется как разница между входными клеммами с одним входом на земле. Непрерывный стоковый ток (ID) — это максимальный непрерывный ток (ID), который устройство может проводить, и он составляет 495 А. Перед началом проводимости стокового тока время задержки выключения устройства должно быть заряжено до полной емкости. Это значение составляет 500 нс. Во время включения устройства входная емкость должна быть заряжена в течение некоторого времени перед началом проводимости стокового тока, поэтому его время задержки составляет 160 нс. Одиночный транзистор MOSFET — это напряжение между затвором и истоком транзистора, которое определяет напряжение затвор-исток, VGS. Напряжение сток-исток (Vdss) этого транзистора должно быть 100 В для работы. Используя напряжение привода (10 В), это устройство помогает снизить его энергопотребление.

APTM10DAM02G Особенности

рейтинг энергии лавины (Eas) составляет 3000 мДж
непрерывный стоковый ток (ID) 495 А
время задержки выключения 500 нс
напряжение сток-исток 100 В

APTM10DAM02G Применения

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET APTM10DAM02G от Microsemi Corporation.

• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронный выпрямитель
• Цепь защиты аккумулятора
• Источники питания для телекоммуникационных серверов
• Промышленные источники питания
• Стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
• Стадии ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,