APTM10DAM05TG [Microchip]

Обзор APTM10DAM05TG

Одиночный транзистор MOSFET называется "лавинный пробой", и лавинная энергия применяется к транзисторам MOSFET, и одиночный транзистор MOSFET имеет рейтинг 3000 мДж. При любом входе на земле параметр входной емкости, CI, представляет емкость между входными клеммами операционного усилителя. У этого устройства максимальная входная емкость 20000пФ @ 25В. Ток стока устройства - это его максимальный непрерывный ток, и у этого устройства непрерывный ток стока (ID) равен 278А. Время выключения - это время, необходимое для зарядки входной емкости устройства до начала проводимости тока стока, и оно составляет 280 нс. Зарядка входной емкости занимает время до начала проводимости тока стока, поэтому время включения равно 80 нс. Одиночный транзистор MOSFET - это напряжение, падающее на клемме затвор-источник транзистора FET, которое называется напряжением затвор-источника, VGS. Одиночному транзистору MOSFET необходимо иметь напряжение сток-источник (Vdss) 100В. Использование напряжения привода (10В) снижает общее энергопотребление этого устройства.

Особенности APTM10DAM05TG

рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 3000 мДж
непрерывный ток стока (ID) равен 278А
время выключения составляет 280 нс
напряжение сток-источник 100В (Vdss)

Применение APTM10DAM05TG

Существует множество применений одиночных транзисторов MOSFET Microsemi Corporation
APTM10DAM05TG.

• Освещение
• Источник бесперебойного питания
• AC-DC источник питания
• Синхронная выпрямление для ATX 1 Server I Telecom PSU
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Микро-солнечный инвертор
• DC/DC преобразователи
• Электроинструменты
• Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
• Синхронная выпрямление