Logo
Контакты
Политика использования файлов cookie
Условия использования
Политика конфиденциальности
phone
Vivi (Продажи)
phone
Lucy (Продажи)
phone
Ban (Продажи)
phone
+86 755-2845-3125
Список RFQ
  • open navigation menu
    • Logo
    • Список RFQ
      • Производители
      • Популярные товары
      • RFQ
      • Блог
      • Инструменты
      • Решения для закупок
      • PCB/SMT
      • О нас
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    Знак сертификации
    СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
    Служба поддержки:
    +86 755-2845-3125
    Комната 2709B, Офисное здание 5A, Longguang Jiuzuan, Hongshan, район Longhua, Шэньчжэнь, Китай
    [email protected]
    Компания
    • Блог
    • О нас
    • Контакты
    Ресурсы
    • Категории
    • Производители
    • Инструменты
    • RFQ
    Быстрые ссылки
    • Политика конфиденциальности
    • Условия использования
    • Политика использования файлов cookie
    • Политика возврата и возмещения
    • Политика доставки
    Оплата
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    • Способ оплаты
    Логистика
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр
    • Логистический партнёр

    © 2026 Авторское право. Все права защищены. Сделано ICAllIn

    Номер детали
    Номер детали
    1. Главная/
    2. Все категории/
    3. Дискретные полупроводники/
    4. Транзисторы/
    5. JANTXV2N6804 MICROSEMI

    JANTXV2N6804 [MICROSEMI]

    JANTXV2N6804
    JANTXV2N6804

    Номер детали:

    JANTXV2N6804

    Категория:

    Транзисторы

    Производитель:

    MICROSEMI

    Описание:

    МОСФЕТ (Металл-оксид) P-канал подложка 360м ? при 11A, 10V ±20V 29нКл при 10V 100V TO-204AA, TO-3

    Статус RoHS:

    Даташит:

    Статус наличия:

    Доступно для RFQ

    Цена:

    Запросить оптовую цену

    Ответ на запрос:

    В течение 24 часов

    Доставка:

    Товары в наличии отправляются в течение 1–2 рабочих дней

    Спецификация

    Тип
    Параметр
    Gate Source Voltage
    -20V ~ 20V
    Drain Source Voltage
    -100V
    Thermal Resistance Junction To Case
    1.67°C/W
    Operating Temperature
    -55°C ~ 150°C
    Package
    TO-3
    RoHS Status
    Non-RoHS Compliant
    RoHS Status
    RoHS Compliant
    Storage Temperature
    -55°C ~ 150°C
    Weight
    12.7 g
    Diode Forward Voltage
    -4.7V
    Diode Reverse Recovery Time
    250 ns
    Drain Current Tc100c
    -7.0A
    Drain Current Tc25c
    -11.0A
    Drain Source Breakdown Voltage
    -100V
    Drain Source On Resistance
    0.36Ω
    Fall Time
    140 ns
    Gate Charge Total
    29.0 nC
    Gate Current Max
    ±100 nA
    Gate Drain Charge
    21.0 nC
    Gate Source Charge
    7.1 nC
    Gate Source Voltage Threshold Max
    -4.0V
    Gate Source Voltage Threshold Min
    -2.0V
    Off State Current Peak Total Value
    -50Ω
    Off State Drain Current Max
    -25µA
    Power Dissipation At Ta25c
    4W
    Power Dissipation At Tc25c
    75W
    Rise Time
    140 ns
    Source Current
    -11A
    Turn Off Delay Time
    140 ns
    Turn On Delay Time
    60 ns

    Детали продукта

    Обзор JANTXV2N6804


    В результате лавинного пробоя энергия, приложенная к МОСФЕТ, называется лавинной энергией, и рейтинг лавинной энергии составляет 81 мДж. Его непрерывный стоковый ток для этого устройства составляет 11А. Стоковый ток относится к способности устройства проводить непрерывный ток. Его максимальный импульсный стоковый ток составляет 50А, что также является его максимальным рейтингом пикового стокового тока. Обычно напряжение затвор-исток (VGS) транзистора FET — это напряжение между его выводами затвора и истока, которое составляет 20В. Для нормальной работы поддерживайте напряжение пробоя DS выше 100В. Для работы этого транзистора необходимо применить напряжение сток-исток 100В (Vdss). Это устройство не использует напряжение привода (10В) для снижения общего энергопотребления.

    Особенности JANTXV2N6804


    рейтинг лавинной энергии (Eas) составляет 81 мДж
    непрерывный стоковый ток (ID) 11А
    основан на его номинальном пиковом стоковом токе 50А.
    напряжение сток-исток 100В (Vdss)


    Применения JANTXV2N6804


    Существует множество применений одиночных транзисторов МОСФЕТ Microsemi Corporation JANTXV2N6804.


    • Электроинструменты
    • Приводы двигателей и источники бесперебойного питания
    • Синхронная выпрямление
    • Схема защиты аккумулятора
    • Источники питания для телекоммуникационных серверов
    • Промышленные источники питания
    • Стадии PFC, стадии ШИМ с жестким переключением и резонансное переключение
    • Стадии ШИМ для, например, PC Silverbox, адаптеров, LCD и PDP телевизоров,
    • Освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.
    • Преобразователи DC-DC

    Ключевые особенности

    • JEDEC registered 2N6804 number series
    • JAN, JANTX, JANTXV qualifications per MIL-PRF-19500/562
    • RoHS compliant version available (commercial grade only)
    • Low-profile metal can design
    • TO-3 package

    Сценарии применения

    • Military
    • high-reliability applications

    Документы

    Datasheets:

    2N6804
    FAQ по продукту

    1. Доступен ли JANTXV2N6804 для RFQ?

    Да. JANTXV2N6804 от MICROSEMI доступен для RFQ. Укажите необходимое количество, и наша команда подтвердит актуальный остаток, срок поставки и оптовую цену.

    2. Почему для JANTXV2N6804 нет фиксированной цены?

    Цена на JANTXV2N6804 может зависеть от количества заказа, доступности на рынке, date code, упаковки и страны доставки. Запросите предложение, чтобы получить актуальную оптовую цену.

    3. Какие ключевые характеристики у JANTXV2N6804?

    JANTXV2N6804 — это Транзисторы MICROSEMI с такими характеристиками: Thermal Resistance Junction To Case: 1.67°C/W и Off State Current Peak Total Value: -50Ω. Ознакомьтесь с деталями продукта или отправьте RFQ, если нужна проверка перед покупкой.

    4. Как быстро я получу предложение по JANTXV2N6804?

    Наша команда продаж обычно отвечает в течение 24 часов после получения RFQ. Предложение может включать статус наличия, цену за единицу, срок поставки, варианты доставки и доступные альтернативы.

    5. Как скоро можно отправить JANTXV2N6804?

    Если наличие подтверждено, товары со склада обычно могут быть отправлены в течение 1–2 рабочих дней. Итоговый срок зависит от количества, источника склада и страны доставки.

    6. Можете ли вы предложить альтернативы для JANTXV2N6804?

    Да. Если JANTXV2N6804 недоступен, снят с производства или не подходит по срокам поставки, мы поможем проверить похожие позиции MICROSEMI в категории Транзисторы или совместимые альтернативы.

    Запрос

    Номер детали:

    JANTXV2N6804

    Производитель:

    MICROSEMI

    Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.

    Доставка и гарантия

    Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)

    Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00

    Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней

    Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.

    Особенности

    • 30-дневная гарантия
      30-дневная гарантия
    • Быстрая доставка
      Быстрая доставка
    • Беспроблемный возврат
      Беспроблемный возврат
    • Безопасный способ оплаты
      Безопасный способ оплаты

    ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

    Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.

    Рекомендуемый товар

    BEST SELL
    FS32K118LFT0VLHT

    FS32K118LFT0VLHT

    NXP

    BEST SELL
    MCX75510AAS-NEAT

    MCX75510AAS-NEAT

    NVIDIA

    BEST SELL
    MT41K512M16VRP-107 IT:P

    MT41K512M16VRP-107 IT:P

    Micron

    BEST SELL
    ADF4351BCPZ

    ADF4351BCPZ

    Analog Devices

    BEST SELL
    MTFC2GMDEA-0M WT A

    MTFC2GMDEA-0M WT A

    Micron

    BEST SELL
    K4RAH165VB-BIWM

    K4RAH165VB-BIWM

    SAMSUNG

    BEST SELL
    MT53E2G32D4DE-046 AAT:C

    MT53E2G32D4DE-046 AAT:C

    Micron

    BEST SELL
    KLMAG1JETD-B041009

    KLMAG1JETD-B041009

    SAMSUNG

    BEST SELL
    K4AAG085WA-BIWE

    K4AAG085WA-BIWE

    SAMSUNG

    BEST SELL
    IS43LQ32256A-062BLI

    IS43LQ32256A-062BLI

    ISSI

    Связанная информация
    • Номер детали
      Производитель
      Статус наличия
      Цена
      RoHS/даташит
    • APTMC170AM30CT1AG
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5225B (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • 1N4894
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1015MP
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • APT20SCD65K
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • UTV8100B
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • APT6040BNG
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
      -
    • APTM100DDA35T3G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • APTM50AM70FT1G
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену
    • 1N5231B (DO-35)
      MICROSEMI
      Доступно для RFQ
      Запросить оптовую цену

    1N4737A G

    1N4737A G

    MICROSEMI

    1N5952D G

    1N5952D G

    MICROSEMI

    1N825A (DO35)

    1N825A (DO35)

    MICROSEMI

    1N5263A (DO-35)

    1N5263A (DO-35)

    MICROSEMI

    1N4748A G

    1N4748A G

    MICROSEMI

    JANTXV2N3740P

    JANTXV2N3740P

    MICROSEMI

    1N5247B (DO-35)

    1N5247B (DO-35)

    MICROSEMI

    1N5242A (DO-35)

    1N5242A (DO-35)

    MICROSEMI

    1N4117 (DO35)

    1N4117 (DO35)

    MICROSEMI

    1.5KE75CAE3/TR13

    1.5KE75CAE3/TR13

    MICROSEMI

    Diodes & Rectifiers(136426)Discrete & Power Modules(14567)Thyristors(12548)

    Нет недавно просмотренных товаров