2SC5658T2LR [ROHM]

2SC5658T2LR Обзор

Поскольку постоянный коэффициент усиления по току является отношением коллекторного тока к базовому току, для этого устройства постоянный коэффициент усиления по току составляет 120 @ 1mA 6V. Single BJT transistor имеет напряжение насыщения коллекторного эмиттера 400mV, что позволяет максимальную гибкость в дизайне. В результате насыщения vce, Ic достигает своего максимального значения (насыщенное), и vce saturation(Max) составляет 400mV @ 5mA, 50mA. Постоянные коллекторные напряжения 150mA должны поддерживаться для достижения высокой эффективности. Single BJT transistor возможно достичь высокого уровня эффективности, поддерживая напряжение эмиттерного базового перехода на 7V. Его номинальный ток составляет 150mA, что означает, что он может выдерживать максимальный ток в течение неопределенного периода времени без значительной деградации. Части этой детали имеют частоту перехода 180MHz. Single BJT transistor может выдерживать напряжение пробоя входа 50V volts. При максимальной работе коллекторный ток может быть как низким, как 150mA volts.

2SC5658T2LR Особенности

постоянный коэффициент усиления по току для этого устройства составляет 120 @ 1mA 6V
напряжение насыщения коллекторного эмиттера 400mV
vce saturation(Max) составляет 400mV @ 5mA, 50mA
напряжение эмиттерного базового перехода поддерживается на 7V
номинальный ток этого устройства составляет 150mA
частота перехода 180MHz

2SC5658T2LR Применения

Существует множество применений одиночных BJT транзисторов ROHM Semiconductor
2SC5658T2LR.

• Инвертор
• Интерфейс
• Драйвер
• Заглушение