
H27U1G8F2BFR-BIR
SK HYNIX

SK Hynix HBM2E 16 Гб x 1024 — это передовая синхронная ОЗУ типа DRAM, разработанная для высокопроизводительных вычислительных приложений. Благодаря впечатляющей рабочей частоте 1,8 ГГц и низкому напряжению питания 1,2 В этот модуль памяти обеспечивает исключительную скорость и эффективность. Он спроектирован так, чтобы надёжно функционировать в широком диапазоне температур от −55 °C до 125 °C, что делает его пригодным для эксплуатации в экстремальных условиях. Корпус LCC-1024 обеспечивает компактное расположение элементов и одновременно надёжное соединение для применений с высокой плотностью размещения.
Ключевые особенности недоступны
Сценарии применения недоступны
Документы недоступны
Ищете цены? Свяжитесь с нами для получения оптовых цен.
Быстрая отправка: Отправка в течение 5-7 дней (товары в наличии в течение 1-2 дней)
Глобальный экспорт Unishop: 1-7 дней, $40.00
Гарантированная доставка: От двери до двери за 30 дней
Соответствующая мировая доставка: DHL, FedEx, SF и UPS.
ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ
Коммерческие предложения зависят от наличия товара на складе и могут меняться в зависимости от рыночных условий. Цены и сроки поставки не гарантируются до подтверждения заказа на покупку. Убедитесь, что ваши контактные данные указаны правильно, чтобы избежать задержек в ответе.
Нет недавно просмотренных товаров

ISL8200MIRZ-T
RENESAS

MCX75510AAS-NEAT
NVIDIA

BQ27441DRZR-G1AG4
Texas Instruments

89H16NT16G2ZCHLG
RENESAS

ISM330DHCX
STMicroelectronics

INA226AIDGSR
Texas Instruments

MT60B4G4HB-48B:A
Micron

MIMX8MQ6DVAJZAB
NXP

ISL8225MIRZ
RENESAS

TMS320F28334ZJZS
Texas Instruments