2STR1160 [STMicroelectronics]

2STR1160 Обзор

Поскольку коэффициент усиления по постоянному току является отношением коллекторного тока к базовому току, для этого устройства коэффициент усиления по постоянному току составляет 180 @ 500mA 2V. Single BJT transistor has a collector emSingle BJT transistorter saturation voltage of 430mV, which allows maximum flexibilSingle BJT transistory in design. В результате насыщения vce, Ic достигает своего максимального значения (насыщенный), и vce saturation(Max) составляет 430mV @ 100mA, 1A. Single BJT transistor is possible to achieve a high level of efficiency by maintaining the emSingle BJT transistorter base voltage at 5V. Single BJT transistor can take a breakdown input voltage of 60V volts. During maximum operation, collector current can be as low as 1A volts.

2STR1160 Характеристики

коэффициент усиления по постоянному току для этого устройства составляет 180 @ 500mA 2V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 430mV
vce saturation(Max) составляет 430mV @ 100mA, 1A
напряжение эмиттер-база поддерживается на 5V

2STR1160 Применения

Существует множество STMicroelectronics
2STR1160 applications of single BJT transistors.

• Inverter
• Interface
• Driver
• Muting